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机构
西安光学精密机械研... [14]
采集方式
OAI收割 [14]
内容类型
专利 [14]
发表日期
1989 [7]
1988 [2]
1987 [4]
学科主题
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浏览/检索结果:
共14条,第1-10条
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Semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: JP1989241190A, 申请日期: 1989-09-26, 公开日期: 1989-09-26
作者:
SUGAWARA HIDETO
;
OBA YASUO
;
KOKUBU YOSHIHIRO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989236668A, 申请日期: 1989-09-21, 公开日期: 1989-09-21
作者:
SHIOZAWA HIDEO
;
ISHIKAWA MASAYUKI
;
OKUDA HAJIME
;
OBA YASUO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor crystal growth method
专利
OAI收割
专利号: JP1989222433A, 申请日期: 1989-09-05, 公开日期: 1989-09-05
作者:
NARIZUKA SHIGEYA
;
OBA YASUO
;
KOKUBU YOSHIHIRO
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989214192A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
作者:
KUSHIBE MITSUHIRO
;
OBA YASUO
;
EGUCHI KAZUHIRO
;
FUNAMIZU MASAHISA
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989214191A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
作者:
EGUCHI KAZUHIRO
;
OBA YASUO
;
KUSHIBE MITSUHIRO
;
FUNAMIZU MASAHISA
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989214190A, 申请日期: 1989-08-28, 公开日期: 1989-08-28
作者:
EGUCHI KAZUHIRO
;
OBA YASUO
;
KUSHIBE MITSUHIRO
;
FUNAMIZU MASAHISA
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989184972A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者:
SUGAWARA HIDETO
;
OBA YASUO
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提交时间:2020/01/18
Manufacture of semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1988178574A, 申请日期: 1988-07-22, 公开日期: 1988-07-22
作者:
WATANABE YUKIO
;
ISHIKAWA MASAYUKI
;
OBA YASUO
;
YAMAMOTO MOTOYUKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1988043387A, 申请日期: 1988-02-24, 公开日期: 1988-02-24
作者:
OBA YASUO
;
WATANABE MIYOKO
;
SUGAWARA HIDETO
;
ISHIKAWA MASAYUKI
;
WATANABE YUKIO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1987200785A, 申请日期: 1987-09-04, 公开日期: 1987-09-04
作者:
OBA YASUO
;
YAMAMOTO MOTOYUKI
;
KANBARA HIDETO
;
ISHIKAWA MASAYUKI
;
WATANABE YUKIO
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提交时间:2020/01/18