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机构
西安光学精密机械研... [12]
采集方式
OAI收割 [12]
内容类型
专利 [12]
发表日期
2019 [1]
1990 [1]
1988 [5]
1987 [3]
1986 [1]
1985 [1]
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Laser amplification apparatus, laser apparatus, and laser nuclear fusion reactor
专利
OAI收割
专利号: GB2548271B, 申请日期: 2019-07-24, 公开日期: 2019-07-24
作者:
TAKASHI SEKINE
;
YASUKI TAKEUCHI
;
YOSHINORI KATO
;
TOSHIYUKI KAWASHIMA
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor laser device and manufacture thereof
专利
OAI收割
专利号: JP1990297989A, 申请日期: 1990-12-10, 公开日期: 1990-12-10
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
NEGISHI HIDEHIKO
;
IDOTA TAKESHI
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提交时间:2020/01/18
Formation of grating
专利
OAI收割
专利号: JP1988299387A, 申请日期: 1988-12-06, 公开日期: 1988-12-06
作者:
HASE NOBUYASU
;
OSHIMA MASAAKI
;
TAKEUCHI YOSHINORI
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988289984A, 申请日期: 1988-11-28, 公开日期: 1988-11-28
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
TAKAMORI AKIRA
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提交时间:2020/01/13
Microscopic groove forming method
专利
OAI收割
专利号: JP1988263726A, 申请日期: 1988-10-31, 公开日期: 1988-10-31
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
IDOTA TAKESHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988164388A, 申请日期: 1988-07-07, 公开日期: 1988-07-07
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
OSHIMA MASAAKI
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提交时间:2020/01/18
Method of forming fine trench
专利
OAI收割
专利号: JP1988053931A, 申请日期: 1988-03-08, 公开日期: 1988-03-08
作者:
IDOTA TAKESHI
;
TAKEUCHI YOSHINORI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1987248282A, 申请日期: 1987-10-29, 公开日期: 1987-10-29
作者:
OSHIMA MASAAKI
;
TAKEUCHI YOSHINORI
;
HASE NOBUYASU
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1987126684A, 申请日期: 1987-06-08, 公开日期: 1987-06-08
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
TAKENAKA NAOKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1987124791A, 申请日期: 1987-06-06, 公开日期: 1987-06-06
作者:
TAKEUCHI YOSHINORI
;
TAKENAKA NAOKI
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提交时间:2020/01/18