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西安光学精密机械研究... [9]
工程热物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [10]
内容类型
专利 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2004 [1]
1992 [1]
1991 [2]
1988 [1]
1986 [4]
1984 [1]
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Low Noise FEGV Designed by Numerical Method Based on CFD
会议论文
OAI收割
ASME:TURBOMACHINERY: TURBOMACHINES AND THE ENVIRONMENT, 2004
Naoki Tsuchiya, Yoshiya Nakamura, Shinya Goto, Hidekazu Kodama, Osamu Nozaki, Toshio Nishizawa, and Kazuomi Yamamoto
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提交时间:2011/11/28
Active optical element of semiconductor provided with window region
专利
OAI收割
专利号: JP1992048792A, 申请日期: 1992-02-18, 公开日期: 1992-02-18
作者:
KAMEDA TOSHIHIRO
;
ASAI AKIHIKO
;
TSUCHIYA TOSHIO
;
NAGAI HARUO
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提交时间:2019/12/30
Outside resonator type variable wavelength semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991211781A, 申请日期: 1991-09-17, 公开日期: 1991-09-17
作者:
SUZUKI TETSUYA
;
KAWAMO EIJI
;
NAGAI HARUO
;
TSUCHIYA TOSHIO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1991195075A, 申请日期: 1991-08-26, 公开日期: 1991-08-26
作者:
KAWAMO EIJI
;
TSUCHIYA TOSHIO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1988205980A, 申请日期: 1988-08-25, 公开日期: 1988-08-25
作者:
ASAI AKIHIKO
;
MAKITA KATSUO
;
HANAMITSU YUKIKAZU
;
TSUCHIYA TOSHIO
;
YAMAGUCHI SHIGEMI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986067979A, 申请日期: 1986-04-08, 公开日期: 1986-04-08
作者:
TSUCHIYA TOSHIO
;
MISE KAZUAKI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986067980A, 申请日期: 1986-04-08, 公开日期: 1986-04-08
作者:
MISE KAZUAKI
;
TSUCHIYA TOSHIO
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986067978A, 申请日期: 1986-04-08, 公开日期: 1986-04-08
作者:
TSUCHIYA TOSHIO
;
MISE KAZUAKI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1986067981A, 申请日期: 1986-04-08, 公开日期: 1986-04-08
作者:
MISE KAZUAKI
;
TSUCHIYA TOSHIO
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提交时间:2020/01/18
Ohmic electrode
专利
OAI收割
专利号: JP1984061176A, 申请日期: 1984-04-07, 公开日期: 1984-04-07
作者:
KOTADO SETSUO
;
TSUCHIYA TOSHIO
;
TAKAHASHI KIYOSHI
;
KONAGAI MAKOTO
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提交时间:2020/01/18