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Guidelines for the use and interpretation of assays for monitoring autophagy (4th edition) 期刊论文  OAI收割
AUTOPHAGY, 2021, 卷号: 17
作者:  Klionsky, Daniel J.;  Abdel-Aziz, Amal Kamal;  Abdelfatah, Sara;  Abdellatif, Mahmoud;  Abdoli, Asghar
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Halbleiterlaserdiode 专利  OAI收割
专利号: DE69524693T2, 申请日期: 2002-07-18, 公开日期: 2002-07-18
作者:  HASHIMOTO,JUN-ICHI;  KATSUYAMA,TSUKURU;  MURATA,MICHIO;  YOSHIDA,ICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/24
Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren 专利  OAI收割
专利号: DE69400533T2, 申请日期: 1997-02-20, 公开日期: 1997-02-20
作者:  HASHIMOTO JUNICHI,JP;  KATSUYAMA TSUKURU,JP;  YOSHIDA ICHIRO,JP
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor laser and manufacturing method of the same 专利  OAI收割
专利号: US5496767, 申请日期: 1996-03-05, 公开日期: 1996-03-05
作者:  YOSHIDA, ICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24
Semiconductor laser having an algainp cladding layer 专利  OAI收割
专利号: CA2112319A1, 申请日期: 1994-06-29, 公开日期: 1994-06-29
作者:  YOSHIDA ICHIRO;  KATSUYAMA TSUKURU;  HASHIMOTO JUN-ICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: US5274656, 申请日期: 1993-12-28, 公开日期: 1993-12-28
作者:  YOSHIDA, ICHIRO
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18
Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same 专利  OAI收割
专利号: CA2089900A1, 申请日期: 1993-08-21, 公开日期: 1993-08-21
作者:  YOSHIDA ICHIRO;  KATSUYAMA TSUKURU;  HASHIMOTO JUNICHI
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor laser 专利  OAI收割
专利号: JP1992130689A, 申请日期: 1992-05-01, 公开日期: 1992-05-01
作者:  YOSHIDA ICHIRO;  KATSUYAMA TSUKURU
  |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor light emitting element 专利  OAI收割
专利号: JP1991270186A, 申请日期: 1991-12-02, 公开日期: 1991-12-02
作者:  YOSHIDA ICHIRO
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Semiconductor laser element 专利  OAI收割
专利号: JP1991209790A, 申请日期: 1991-09-12, 公开日期: 1991-09-12
作者:  YOSHIDA ICHIRO
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