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机构
西安光学精密机械研... [42]
采集方式
OAI收割 [42]
内容类型
专利 [42]
发表日期
1989 [3]
1988 [2]
1987 [6]
1986 [3]
1985 [11]
1984 [7]
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共42条,第1-10条
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专利
OAI收割
专利号: JP1989056555B2, 申请日期: 1989-11-30, 公开日期: 1989-11-30
作者:
FUKUDA HIROKAZU
;
SHINOHARA KOJI
;
KAWABATA YOSHIO
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
YAMAMOTO KOSAKU
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1989280387A, 申请日期: 1989-11-10, 公开日期: 1989-11-10
作者:
NISHIJIMA YOSHITO
;
EBE KOJI
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device
专利
OAI收割
专利号: JP1989147885A, 申请日期: 1989-06-09, 公开日期: 1989-06-09
作者:
NISHIJIMA YOSHITO
;
EBE KOJI
;
SHINOHARA KOJI
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2020/01/13
Vapor phase epitaxial growth method
专利
OAI收割
专利号: JP1988047940A, 申请日期: 1988-02-29, 公开日期: 1988-02-29
作者:
EBE KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
SHINOHARA KOJI
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Manufacture of two-dimensional multiple quantum well structure
专利
OAI收割
专利号: JP1988029989A, 申请日期: 1988-02-08, 公开日期: 1988-02-08
作者:
EBE KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
FUKUDA HIROKAZU
;
SHINOHARA KOJI
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/31
Infrared semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1987296592A, 申请日期: 1987-12-23, 公开日期: 1987-12-23
作者:
NISHIJIMA YOSHITO
;
EBE KOJI
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/12/31
Compound semiconductor element
专利
OAI收割
专利号: JP1987291193A, 申请日期: 1987-12-17, 公开日期: 1987-12-17
作者:
EBE KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
SHINOHARA KOJI
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提交时间:2019/12/31
-
专利
OAI收割
专利号: JP1987048399B2, 申请日期: 1987-10-13, 公开日期: 1987-10-13
作者:
SHINOHARA KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
KAWABATA YOSHIO
;
FUKUDA HIROKAZU
;
YAMAMOTO KOSAKU
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提交时间:2020/01/13
-
专利
OAI收割
专利号: JP1987046079B2, 申请日期: 1987-09-30, 公开日期: 1987-09-30
作者:
SHINOHARA KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
FUKUDA HIROKAZU
;
KAWABATA YOSHIO
;
YAMAMOTO KOSAKU
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light-emitting device
专利
OAI收割
专利号: JP1987144387A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27
作者:
EBE KOJI
;
NISHIJIMA YOSHITO
;
SHINOHARA KOJI
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提交时间:2020/01/13