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西安光学精密机械研... [13]
上海应用物理研究所 [1]
合肥物质科学研究院 [1]
采集方式
OAI收割 [15]
内容类型
专利 [13]
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2011 [1]
1992 [4]
1991 [3]
1989 [3]
1988 [2]
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Efficient separation of Re(VII) by radiation-induced reduction from aqueous solution
期刊论文
OAI收割
CHEMICAL ENGINEERING JOURNAL, 2018, 卷号: 341, 期号: 无, 页码: 317-326
作者:
Shang, Yun
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提交时间:2019/12/11
gamma irradiation
Separation
Rhenium(VII)
Technetium(VII)
Pulse radiolysis
Pulse Radiolysis Study on Free Radical Scavenger Edaravone (3-methyl-1-phenyl-2-pyrazolin-5-one). 2: A Comparative Study on Edaravone Derivatives
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF RADIATION RESEARCH, 2011, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 15
Hata, Kuniki
;
Lin, Mingzhang
;
Katsumura, Yosuke
;
Muroya, Yusa
;
Fu, Haiying(付海英)
;
Yamashita, Shinichi
;
Nakagawa, Hidehiko
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提交时间:2012/07/04
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992309278A, 申请日期: 1992-10-30, 公开日期: 1992-10-30
作者:
NAKATSUKA SHINICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
UCHIDA KENJI
;
KAJIMURA TAKASHI
;
TAKAHASHI TAKEO
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提交时间:2020/01/18
Laser diode module for optical transmission
专利
OAI收割
专利号: JP1992298708A, 申请日期: 1992-10-22, 公开日期: 1992-10-22
作者:
KANEKO SHINICHI
;
ADACHI AKIHIRO
;
YAMASHITA JUNICHIRO
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提交时间:2019/12/30
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1992290280A, 申请日期: 1992-10-14, 公开日期: 1992-10-14
作者:
UCHIDA KENJI
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/13
High output semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1992014887A, 申请日期: 1992-01-20, 公开日期: 1992-01-20
作者:
YAMASHITA SHIGEO
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
UCHIDA KENJI
;
KONO TOSHIHIRO
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element
专利
OAI收割
专利号: JP1991292787A, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24
作者:
UCHIDA KENJI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: JP1991159286A, 申请日期: 1991-07-09, 公开日期: 1991-07-09
作者:
NAKATSUKA SHINICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
KONO TOSHIHIRO
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2020/01/18
Laser diode module
专利
OAI收割
专利号: JP1991145608A, 申请日期: 1991-06-20, 公开日期: 1991-06-20
作者:
NAKAGAWA EIICHI
;
YAMASHITA JUNICHIRO
;
KANEKO SHINICHI
;
HATTA TATSUO
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提交时间:2020/01/13
Double-hetero structure semiconductor laser with device
专利
OAI收割
专利号: JP1989170082A, 申请日期: 1989-07-05, 公开日期: 1989-07-05
作者:
ONO YUICHI
;
YAMASHITA SHIGEO
;
YOSHIZAWA MISUZU
;
NAKATSUKA SHINICHI
;
KAJIMURA TAKASHI
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提交时间:2019/12/31