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学科主题

• 机械、仪表 [1]

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Observation of terahertz plasmon and plasmon-polariton splitting in a grating-coupled AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 OPTICS EXPRESS, 2018 作者:  Zhang, Zhipeng;  Qin, Hua(秦华);  Zheng, Zhongxin(郑中信);  Yu, Yao(余耀);  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2019/03/27 10 A/567 V normally off p-GaN gate HEMT with high-threshold voltage and low-gate leakage current 期刊论文  OAI收割 ELECTRONICS LETTERS, 2018 作者:  Wang, Qilong;  Zhang, Bingliang;  Du, Zhongkai;  Zhao, Jie(赵杰);  Chen, Fu(陈扶)   |  收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2019/03/27 An Al0.25Ga0.75N/GaN Lateral Field Emission Device with a Nano Void Channel 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Bao-Shun(张宝顺);  Wang, Yi-Qun(王逸群);  Fu, Kai(付凯)   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/03/27 Influence factors and temperature reliability of ohmic contact on AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2018 作者:  Fan, Yaming(范亚明);  Song, Liang(宋亮);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Zhao, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2019/03/27 Degradation of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors under off-state electrical stress 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2018 作者:  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Fan, Yaming(范亚明);  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Yu, Guohao(于国浩);  Zhao, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/03/27 Studies on Fabrication and Reliability of GaN High-Resistivity-Cap-Layer HEMT 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Deng, Xuguang(邓旭光);  Li, Xiang;  Xu, Ning;  Hao, Ronghui(郝荣晖);  Zhang, Xinping   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/03/27 Gate leakage mechanisms in normally off p-GaN/AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018 作者:  Ding, Xiaoyu;  Yu, Guohao;  Cheng, Kai;  Cai, Yong;  Zhang, Baoshun(张宝顺)   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/03/27 Analysis and Modeling of Thermal-Electric Coupling Effect of High-Power Monolithically Integrated Light-Emitting Diode 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018 作者:  Huang, Hongjuan(黄宏娟);  Zhang, Baoshun(张宝顺);  Cai, Yong(蔡勇);  Zhang, Yibin(张亦斌);  Ding, Mingdi(丁明迪)   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2019/03/27 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2018/02/05 High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 2017 作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/02/05 首页 上一页 1 2 3 下一页 末页