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采集方式

• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [3]
• 2008 [2]
• 2005 [2]
• 2003 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [1]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [1]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 4，214-216,220 作者:  张育胜   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/06/01 硅深槽刻蚀  电感耦合等离子体bosch工艺  化学平衡   相变存储器加热电极与相变材料刻蚀工艺研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 冯高明 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2012/03/06 相变存储器  　Ge2Sb2Te5  　纳米电极  　干法刻蚀  　工艺集成　   基于高级硅刻蚀和硅氧化工艺的软X射线干涉光刻分束光栅的优化设计 期刊论文  OAI收割 核技术, 2008, 期号: 06 朱伟忠; 吴衍青; 史沛熊; 郭智; 邰仁忠; 徐洪杰 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/06/06 软X射线透射光栅  衍射效率  高级硅刻蚀  硅氧化工艺  严格耦合波方法  软X射线干涉光刻   基于Taguchi三次设计的微机械陀螺健壮性设计 期刊论文  OAI收割 上海交通大学学报, 2008, 期号: 02 张正福; 王安麟; 刘广军; 姜涛; 焦继伟 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/01/06 体硅工艺  深度反应离子刻蚀  背片技术  面内侧面压阻  纳米级定位平台   高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2005, 卷号: 35, 期号: 3, 页码: 5，236-239,244 作者:  王巍;  叶甜春;  陈大鹏;  刘明;  李兵   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子体  刻蚀工艺  终点检测  Oes  Iep   锑化物激光器、探测器的刻蚀工艺以及电化学C-V技术研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2005 洪婷   收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/03/06 锑化物:6396  电化学:3621  探测器:3549  刻蚀速率:3514  刻蚀工艺:2688  气体组分:2114  多量子阱激光器:1896  技术研究:1713  腐蚀液:1361  湿法:966     对称量子点花样体系电容谱 期刊论文  OAI收割 中国科学：G辑, 2003, 卷号: 033 作者:  戴振宏;  孙金祚;  张立德;  隋鹏飞;  黄士勇   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/10/26 对称量子点花样体系  电容谱  量子力学  从头计算  人工刻蚀  UHFR  多电子态  纳米科学  半导体器件  制作工艺   硅光栅技术 期刊论文  OAI收割 光机电信息, 2002, 期号: 08, 页码: 13-15 作者:  刘剑 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/03/11 硅光栅:8344  衍射光栅:2782  各向异性刻蚀:2681  制作工艺:2002  光刻胶:1650  闪耀光栅:1645  微机械:1511  微细加工技术:1326  多晶硅:1050  反射光栅:922   亚波长周期结构光栅的制作工艺和理论关系研究 会议论文  OAI收割 中国长春 作者:  曹召良;  卢振武;  孙强 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/03/19 制作工艺  占空比  光栅周期  刻蚀深度  最佳结合点