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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究 期刊论文  OAI收割
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:  马函1,2;  孙静1;  何承发1;  荀明珠1
  |  收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2022/01/25
不同温度辐照下栅控双极晶体管的总剂量效应参数退化研究（英文） 期刊论文  OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2183-2190
作者:  相传峰1,2;  李小龙1;  陆妩1,2;  王信1;  刘默寒1
  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/01/25
偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响 期刊论文  OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:  王利斌;  王信;  吴雪;  李小龙;  刘默寒
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/11/03
极端辐射环境下双极晶体管的剂量率效应研究 学位论文  OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  刘默寒
  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/07/15
CMOS有源像素图像传感器的电子辐照损伤效应研究 会议论文  OAI收割
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:  玛丽娅;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林
  |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2018/06/05
深亚微米闪存分立器件的总剂量辐射效应及加固技术研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2012
刘张李
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/04/24
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2012, 期号: 5, 页码: 92-96
胡志远; 刘张李; 邵华; 张正选; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2013/02/22
0.18μm MOSFET器件的总剂量辐照效应 期刊论文  OAI收割
物理学报, 2011, 期号: 11
刘张李; 胡志远; 张正选; 邵华; 宁冰旭; 毕大炜; 陈明; 邹世昌
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/13
注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响 会议论文  OAI收割
第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会, 2009
王茹; 张正选; 俞文杰; 田浩; 毕大炜; 张帅; 陈明
收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2012/01/18
先进三栅闪存器件工作特性及耐久性的研究 学位论文  OAI收割
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009
曹子贵
收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/03/06