机构

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• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [14]
• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2009 [2]
• 2005 [8]
• 2004 [3]
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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 Electron Device Letters, 2012, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 354 - 356 作者:  Yong Cai（蔡勇）;  Wenhua Shi（时文华）;  Baoshun Zhang (张宝顺);  Baoshun Zhang (张宝顺);  Hua Qin（秦华） 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/01/22 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  enhancement-mode (E-mode)  high-frequency  nanochannel array (NCA)   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 期刊论文  OAI收割 MICRON, 2009, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 274 Liu, HH; Duan, XF; Xu, QX 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM ELECTRON-DIFFRACTION  HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  ELASTIC RELAXATION  LAYER SUPERLATTICES  EFFECT TRANSISTORS  CMOS PERFORMANCE  SILICON  SPECIMENS  PMOSFETS   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Interfacial characteristics of fully depleted SiGe-on-insulator (SGOI) substrate fabricated by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: L31-L35 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Lin, Q; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  DIFFUSION  OXIDATION  GERMANIUM  SILICON  ALLOYS   Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921 Jin, B; Wang, X; Chen, J; Cheng, XL; Chen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  SI N-MOSFETS  LAYER TRANSFER  SUBSTRATE  ELECTRON  SI1-XGEX   Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248 Cheng,XL; Chen,ZJ; Wang,YJ; Jin,B; Zhang,F; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  HIGH-GE FRACTION  STRAINED-SI  INSULATOR SUBSTRATE  N-MOSFETS  ELECTRON  ULTRATHIN   Strain relaxation mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 275-280 Di, ZF; Huang, AP; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Luo, SH; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  OXIDATION  SUBSTRATE  STABILITY  ELECTRON  ISLANDS   Germanium movement mechanism in SiGe-on-insulator fabricated by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2005, 卷号: 97, 期号: 6, 页码: 64504-64504 Di, ZF; Chu, PK; Zhang, M; Liu, WL; Song, ZT; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/03/24 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  MOBILITY ENHANCEMENT  OXIDATION  ELECTRON   Relaxed SiGe-on-insulator fabricated by dry oxidation of sandwiched Si/SiGe/Si structure 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 124, 页码: 153-157 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Zhu, M; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 ELECTRON-MOBILITY ENHANCEMENT  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  STRAINED-SI  LAYER TRANSFER  N-MOSFETS  GERMANIUM  STABILITY  SUBSTRATE  EPITAXY  ALLOYS   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS