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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Chen, Yongbo;  Jia, Shasha;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2019/12/31 Epitaxial growth  SrTiO3  GaN  TiN buffer layer  Pulsed laser deposition   Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Bi, Zhijie;  Chen, Yongbo;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/12/28 Ferroelectrics  Thin films  Epitaxial growth  PMN-PT  GaN  Physical vapour deposition   High-performance BiFe0.95Mn0.05O3 ferroelectric film epitaxially integrated on GaN substrate with LSMO/TiO2 bi-layer buffer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 193, 页码: 240-243 作者:  Xu, Leilei;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Xu, Xiaoke;  Qin, Meng 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2017/05/15 Ferroelectrics  Bismuth ferrite  Bi-layer buffer  Epitaxial growth  GaN integration   Structures and optical properties of H-2(+)-implanted GaN epi-layers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48 作者:  Li, B. S.;  Wang, Z. G.   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2018/07/05 Gan Epitaxial Films  H-2(+) Implantation  Implantation Damage  Cross-sectional Transmission Electron Microscopy  Dislocation Loops   Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core-Shell Heterostructures 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2015, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: 7837-7846 Liu, Baodan; Yang, Bing; Yuan, Fang; Liu, Qingyun; Shi, Dan; Jiang, Chunhai; Zhang, Jinsong; Staedler, Thorsten; Jiang, Xin 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2016/04/21 Wurtzite GaN  3C-SiC  core-shell heterostructure  stacking faults  confined epitaxial growth   Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166 B. D. Liu; F. Yuan; B. Dierre; T. Sekiguchi; S. Zhang; Y. K. Xu; X. Jiang 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/01/14 GaN  nanowire arrays  epitaxial growth  interface  yellow-band emission  vapor-phase epitaxy  gallium nitride  spatial-distribution  luminescence  carbon  cathodoluminescence  microstructure  nanodevices  fabrication  mechanism   InGaN/GaN based light-emitting diodes grown on maskless periodically grooved sapphire fabricated by wet chemical etching 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS, 2011, 卷号: 13, 期号: 9-10, 页码: 1203 Yu, NS; Zhu, XL; Peng, MZ; Xing, ZG; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/09/18 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH  VAPOR-PHASE EPITAXY  GAN  MICROSCOPY  DEPOSITION  DEFECTS  SINGLE   Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, 2011, 卷号: 4, 期号: 8, 页码: 2625 Jiang, Y; Jia, HQ; Wang, WX; Wang, L; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH  VAPOR-DEPOSITION  DENSITY GAN  WING-TILT  FILMS  DEVICES   Reactant-governing growth direction of indium nitride nanowires 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 24 Liu, H; Shi, L; Geng, X; Su, R; Cheng, G; Xie, S 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/24 EPITAXIAL SILICON NANOWIRES  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  BEAM EPITAXY  GAN  ORIENTATION  POLARITY  INN   EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  epitaxial lateral overgrowth