机构

• 半导体研究所 [12]

采集方式

• OAI收割 [12]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2006 [3]
• 2003 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [5]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体物理 [8]
• 光电子学 [2]
• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: art.no.011912 Sun Z; Xu ZY; Yang XD; Sun BQ; Ji Y; Zhang SY; Ni HQ; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS   Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569 Sun Z (Sun Zheng); Wang BR (Wang Bao-Rui); Xu ZY (Xu Zhong-Ying); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Ji Y (Ji Yang); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/04/11 TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：211/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：167/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  NITROGEN  LUMINESCENCE  PRESSURE  STATES  ENERGY   Phonon-induced Raman scattering in GaNAs 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14 作者:  Tan PH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：117/6  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  Raman scattering  local vibrational mode  GAAS1-XNX  ALLOYS  GAASN   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：133/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 Luo XD; Xu ZY; Sun BQ; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  photoluminescence  band offset  band bowing coefficient  localized exciton  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  TEMPERATURE  GAASN   Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of GaNxAs1-x/GaAs single quantum well structure grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 1, 页码: 245-248 Li LH; Pan Z; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND-GAP ENERGY  SUPERLATTICES  DEPENDENCE  ALLOYS  GAASN   Growth and characterization of strained superlattices delta-GaNxAs1-x/GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 648-652 Pan Z; Li LH; Lin YW; Zhou ZQ; Zhang W; Wang YT; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs/GaAs superlattice  X-ray diffraction  periodicity fluctuation  MBE  RHEED  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  ALLOYS  DIFFRACTION  COEFFICIENT  SOLUBILITY  OPERATION  GAAS1-XNX  GAASN