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Growth of GaSb and GaInAsSb layers for thermophotovoltaic cells by liquid phase epitaxy
会议论文
OAI收割
Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007
作者:
Liu L
;
Chen NF(陈诺夫)
;
Gao FB
;
Yin ZQ
;
Cui M
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2017/06/01
GaInAsSb
GaSb
LPE
Segregation coefficient
Thermophotovoltaic cell
Growth and characterization of GaxIn1-xAs1-ySby epitaxial layers grown by LP-MOCVD
会议论文
OAI收割
Jingwei Wang
;
Yiding Wang
;
Tao Wang
;
Shuren Yang
;
Xiaoting Li
;
Jingzhi Yin
;
Xiaofeng Sai
;
SaiHongkai Gao
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浏览/下载:98/4
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提交时间:2010/01/14
LP-MOCVD
mismatched
GaInAsSb
surface morphology
InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2005, 期号: 02
唐田
;
张永刚
;
郑燕兰
;
李爱珍
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2012/01/06
抗反膜
GaInAsSb/GaSb
反射率I-V
黑体探测率
Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2005, 期号: 03
朱海波
;
李晓良
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/01/06
GaInAsSb
红外探测器
PSPICE
共振腔增强GaInAsSb光电探测器设计及数值模拟
期刊论文
OAI收割
红外技术, 2004, 期号: 04, 页码: 69-72
作者:
赵海峰
;
宋航
;
蒋红
;
缪国庆
;
缪国庆
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/11
共振腔增强探测器
GaInAsSb
DBR
反射率
量子效率
用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计
期刊论文
OAI收割
稀有金属, 2004, 期号: 03
劳燕锋
;
吴惠桢
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/01/06
GaInAsSb/GaSb
红外探测器
Ⅰ-Ⅴ特性
CH<,3>CSNH<,2>/NH<,4>OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的研究
会议论文
OAI收割
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议, 2004
刘延祥
;
夏冠群
;
唐绍裘
;
程宗权
;
郑燕兰
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/01/18
CH<
3>
CSNH<
2>
/NH<
4>
OH GaInAsSb 红外探测器 表面钝化处理
GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2003
李志怀
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2012/03/06
GaInAsSb
红外探测器
欧姆接触
合金化
探测率
硫钝化
增透膜
放大器
GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究
会议论文
OAI收割
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2002
李志怀
;
夏冠群
;
程宗权
;
伍滨和
;
黄文奎
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/01/18
GaInAsSb 红外探测器 硫钝化 电学特性 光学特性
GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
会议论文
OAI收割
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2002
黄文奎
;
夏冠群
;
周萍
;
李志怀
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/01/18
GaInAsSb 红外探测器 硫钝化 退火处理 暗电流 动态电阻 半导体材料