机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2006 [1]
• 2003 [4]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：201/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of gainas/ganas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Interdiffusion  Post-annealing  Quantum wells  Gainnas/gaas   The effect of inserting strain-compensated ganas layers on the luminescence properties of gainnas/gaas quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL;  Huang, JS;  Chang, K 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wells  Gainnas  Strain-compensated ganas layers   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD   Angular dependent characteristics of a 1.3-mu m gainnas/gaas quantum-well resonant cavity enhanced photodetect 期刊论文  iSwitch采集 Microwave and optical technology letters, 2002, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 333-336 作者:  Zhang, RK;  Zhong, Y;  Zhang, W;  Xu, YQ;  Du, Y 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gainnas quantum wells  Resonant cavity enhanced photodetector  Wdm networks   Angular dependent characteristics of a 1.3-mu m GaInNAs/GaAs quantum-well resonant cavity enhanced photodetect 期刊论文  OAI收割 microwave and optical technology letters, 2002, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 333-336 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：142/0  |  提交时间：2010/08/12 GaInNAs quantum wells  resonant cavity enhanced photodetector  WDM networks