机构

• 半导体研究所 [15]

采集方式

• OAI收割 [10]
• iSwitch采集 [5]

内容类型

• 期刊论文 [12]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2005 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [5]
• 2000 [5]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [4]
• 光电子学 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Optical properties and exciton localization in ganas/gaas 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Tan, PH;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas  Excitonic localization  Optical properties   Optical properties and exciton localization in GaNas/GaAs 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 185-188 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：128/48  |  提交时间：2010/03/17 GaNAs   Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文  OAI收割 asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003 Ying-Qiang X; Zhang W; Niu ZC; Wu RG; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：25/1  |  提交时间：2010/10/29 GaNAs  SiO2 encapsulation  rapid-thermal-annealing  nitrogen reorganization  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  MU-M   The effect of inserting strain-compensated ganas layers on the luminescence properties of gainnas/gaas quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL;  Huang, JS;  Chang, K 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wells  Gainnas  Strain-compensated ganas layers   The effect of inserting strain-compensated GaNAs layers on the luminescence properties of GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 339-344 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum wells  GaInNAs  strain-compensated GaNAs layers  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHOTOLUMINESCENCE  LASERS  THRESHOLD   Phonon-induced raman scattering in ganas 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14 作者:  Jiang, DS;  Sun, BQ;  Tan, PH;  Li, LH;  Pan, Z 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas  Raman scattering  Local vibrational mode   Optical properties and band lineup in ganxas1-x/gaas single quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Luo, XD;  Xu, ZY;  Pan, Z;  Li, LH;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Ganas  Band offset  Pl   Phonon-induced Raman scattering in GaNAs 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14 作者:  Tan PH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：101/6  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  Raman scattering  local vibrational mode  GAAS1-XNX  ALLOYS  GAASN   Optical properties and band lineup in GaNxAs1-x/GaAs single quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25-29 Luo XD; Xu ZY; Pan Z; Li LH; Lin YW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：116/4  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  band offset  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ALLOYS  GANAS/GAAS  1.3-MU-M  GAASN   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：131/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS