机构

• 半导体研究所 [7]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2010 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [2]
• 2001 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [4]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Rapid photoluminescence quenching in gainnas quantum wells at low temperature 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2007, 卷号: 122, 页码: 188-190 作者:  Sun, Z.;  Yang, X. D.;  Sun, B. Q.;  Ji, Y.;  Zhang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gainnas/gaas  Photoluminescence quenching  Non-radiative recombination   Rapid photoluminescence quenching in GaInNAs quantum wells at low temperature 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2007, 卷号: 122 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 188-190 Sun, Z (Sun, Z.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文  OAI收割 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：200/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION   High-quality GaNAs/GaAs quantum wells with light emission up to 1.44 mu m grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 14 Wang, SM; Gu, QF; Wei, YQ; Sadeghi, M; Larsson, A; Zhao, QX; Wang, XD; Ma, CH; Xing, ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/17 GAINNAS  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of gainas/ganas quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Lu, SL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Interdiffusion  Post-annealing  Quantum wells  Gainnas/gaas   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：109/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS