机构

• 半导体研究所 [6]
• 力学研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2011 [1]
• 2005 [3]
• 2004 [2]
• 1998 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光学材料;晶体 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究 期刊论文  OAI收割 光电子.激光, 2011, 期号: 04 王新中; 于广辉; 李世国 收藏  |  浏览/下载：91/0  |  提交时间：2012/04/13 GaN  阳极Al2O3(AAO)  纳米点阵  氢化物气相外延(HVPE)   Characteristics of gan film prepared by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 746-749 作者:  Wei, QQ;  Xue, CS;  Sun, ZC;  Zhuang, HZ;  Wang, SY 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ga2o3/al2o3 film  Ammoniating  Magnetron sputtering   Formation of gan film by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 312-315 作者:  Wei, QQ;  Xue, CS;  Sun, ZC;  Cao, WT;  Zhuang, HH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Ga2o3/al2o3 film  Ammoniating  Magnetron sputtering   VTE法制备γ-LiAlO2／α-Al2O3复合衬底以及腐蚀和退火对其影响 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 250, 254 刘世良; 李抒智; 周圣明; 王银珍; 彭观良; 徐军 收藏  |  浏览/下载：1418/175  |  提交时间：2009/09/24 VTE法  γ-LiAlO2／α-Al2O3  腐蚀现象  制备方法  退火  气相传输平衡  GaN  氮化镓晶体  热导率   The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (ga,mn)n 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289 作者:  Zhang, FQ;  Chen, NF;  Liu, XL;  Liu, ZK;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam deposition  Gan/al2o3  Ferromagnetic materials   The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289 作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY 收藏  |  浏览/下载：840/21  |  提交时间：2009/08/03 X-Ray Diffraction  Ion Beam Deposition  Gan/Al2O3  Ferromagnetic Materials  Implanted Gan  Injection   Fabrication of gan epitaxial films on al2o3/si (001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 作者:  Wang, LS;  Liu, XG;  Zan, YD;  Wang, D;  Wang, J 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan epitaxial films  Al2o3/si(001) substrate  Metalorganic chemical deposition  Crystal structure and surface morphology  Photoluminescence spectrum   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER