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	GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究期刊论文 OAI收割光电子.激光, 2011, 期号: 04 王新中; 于广辉; 李世国收藏 \|
	Characteristics of gan film prepared by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate 期刊论文 iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 5, 页码: 746-749 作者: Wei, QQ; Xue, CS; Sun, ZC; Zhuang, HZ; Wang, SY 收藏 \|
	Formation of gan film by ammoniating ga2o3/al2o3 deposited on si(111) substrate 期刊论文 iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 312-315 作者: Wei, QQ; Xue, CS; Sun, ZC; Cao, WT; Zhuang, HH 收藏 \|
	VTE法制备γ-LiAlO2／α-Al2O3复合衬底以及腐蚀和退火对其影响期刊论文 OAI收割人工晶体学报, 2005, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 250, 254 刘世良; 李抒智; 周圣明; 王银珍; 彭观良; 徐军收藏 \|
	The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (ga,mn)n 期刊论文 iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289 作者: Zhang, FQ; Chen, NF; Liu, XL; Liu, ZK; Yang, SY 收藏 \|
	The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文 OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289 作者: Zhang FQ(张富强); Chen NF(陈诺夫); Liu XL; Liu ZK; Yang SY 收藏 \|
	Fabrication of gan epitaxial films on al2o3/si (001) substrates 期刊论文 iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 作者: Wang, LS; Liu, XG; Zan, YD; Wang, D; Wang, J 收藏 \|
	The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文 OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏 \|
	Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文 OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏 \|