机构

• 半导体研究所 [7]
• 高能物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2018 [1]
• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 2011 [5]

学科主题

• 光电子学 [4]
• 半导体器件 [2]
• 半导体材料 [2]
• Physics [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022 作者:  Yang, Xinju;  Jia QJ(贾全杰);  Jiang, Zuimin;  Jia, Quanjie;  Zhong, Zhenyang   |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/10/11 GeSn  dislocation-related photoluminescence  molecular beam epitaxy  microstructure  x-ray diffraction reciprocal space mapping   Si基GeSn合金的外延生长及光电器件的制备 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 丛慧 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/06/05 硅基光电子学  GeSn合金  短波红外探测器  石墨烯   硅基一维横向纳米材料及器件研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京, 北京: 中国科学院大学, 中国科学院大学, 2015, 2015 作者:  张大林   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/06/01 Si 基  一维纳米材料  GeSn 一维横向生长  横向转移  Si 基  一维纳米材料  Gesn 一维横向生长  横向转移   Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112 作者:  Tao, P;  Huang, L;  Cheng, HH;  Wang, HH;  Wu, XS;王焕华 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/08 GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements   Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn alloys  Strained  Strain-relaxed  Molecular beam epitaxy   Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Su Shao-Jian;  Wang Wei;  Zhang Guang-Ze;  Hu Wei-Xuan;  Bai An-Qi 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn  Ge  Molecular beam epitaxy  Epitaxial growth   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：104/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Epitaxial growth of Ge0.975Sn0.025 alloy films on Si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.28101 Su SJ; Wang W; Zhang GZ; Hu WX; Bai AQ; Xue CL; Zuo YH; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2011/07/05 GeSn  Ge  molecular beam epitaxy  epitaxial growth  SEMICONDUCTORS  GE(001)2X1