机构

• 上海微系统与信息技术... [7]
• 物理研究所 [1]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [8]
• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2009 [2]
• 2005 [4]
• 2004 [2]
• 2003 [1]

学科主题

• Physics, A... [2]
• Atomic [1]
• Engineerin... [1]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 期刊论文  OAI收割 MICRON, 2009, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 274 Liu, HH; Duan, XF; Xu, QX 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM ELECTRON-DIFFRACTION  HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  ELASTIC RELAXATION  LAYER SUPERLATTICES  EFFECT TRANSISTORS  CMOS PERFORMANCE  SILICON  SPECIMENS  PMOSFETS   Finite-element study of strain field in strained-Si MOSFET 外文期刊  OAI收割 2009 作者:  Liu, HH;  Xu, QX;  Duan, XF   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/26 Beam Electron-diffraction  Hole Mobility Enhancement  Elastic Relaxation  Layer Superlattices  Effect Transistors  Cmos Performance  Silicon  Specimens  Pmosfets   Fabrication of strained silicon on insulator by strain transfer process 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: 51921-51921 Jin, B; Wang, X; Chen, J; Cheng, XL; Chen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  SI N-MOSFETS  LAYER TRANSFER  SUBSTRATE  ELECTRON  SI1-XGEX   Fabrication of SGOI material by oxidation of an epitaxial SiGe layer on an SOI wafer with H ions implantation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2005, 卷号: 234, 期号: 3, 页码: 243-248 Cheng,XL; Chen,ZJ; Wang,YJ; Jin,B; Zhang,F; Zou,SC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  HIGH-GE FRACTION  STRAINED-SI  INSULATOR SUBSTRATE  N-MOSFETS  ELECTRON  ULTRATHIN   Fabrication and mechanism of relaxed SiGe-on-insulator by modified Ge condensation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2005, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1637-1640 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Huang, AP; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  OXIDATION BEHAVIOR  HIGH-PERFORMANCE  COMPLIANT OXIDE  N-MOSFETS  GERMANIUM  SUBSTRATE  ELECTRON  ISLANDS   Relaxed silicon-germanium-on-insulator fabricated by oxygen implantation and oxidation-enhanced annealing 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 770-774 Chen, ZJ; Zhang, F; Chen, J; Jin, B; Wang, YJ; Zhang, CS; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  RAMAN-SCATTERING  BUFFER LAYERS  STRAINED-SI  SUBSTRATE  ELECTRON  MOSFETS   Oxygen segregation and Ge diffusion in annealed oxygen ion-implanted relaxed SiGe/Si heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2004, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 207-212 An, ZH; Zhang, M; Fu, RKY; Chu, PK; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAIN RELAXATION  ELECTRON  MECHANISM  HYDROGEN  MOSFETS  LAYER   Fabrication of thick, high-quality strained SiGe layer on ultra-thin silicon-on-insulator and modeling of film strain 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2004, 卷号: 7, 期号: 4-6, 页码: 393-397 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/24 COMPLIANT SUBSTRATE  RAMAN-SCATTERING  INFRARED DETECTORS  ALLOYS  TRANSISTORS  MOBILITY  GROWTH  HOLE  ENHANCEMENT  TRANSPORT   Relaxed silicon-germanium-on-insulator substrates by oxygen implantation into pseudomorphic silicon germanium/silicon heterostructure 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2003, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 2452-2454 An, ZH; Wu, YJ; Zhang, M; Di, ZF; Lin, CL; Fu, RKY; Chen, P; Chu, PK; Cheung, WY; Wong, SP 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 HOLE MOBILITY ENHANCEMENT  STRAINED-SI  ELECTRON  MOSFETS  LAYER