机构

• 半导体研究所 [15]
• 中国科学院大学 [2]
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• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

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• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [18]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [2]
• 2012 [1]
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学科主题

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• Instrument... [1]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Influence of gaasbi matrix on optical and structural properties of inas quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Pan,Wenwu;  Wu,Xiaoyan;  Liu,Juanjuan;  Cao,Chunfang 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/09 Inas  Quantum dot  Gaasbi  Mbe  Thermal stability   Detailed study of the influence of ingaas matrix on the strain reduction in the inas dot-in-well structure 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Chen,Qimiao;  Wu,Xiaoyan;  Cao,Chunfang;  Wang,Shumin 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/09 Quantum dots  Inas/ingaas  Dot-in-well  Ingaas matrix  Photoluminescence  Finite element  Afm  Tem   Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 55, 期号: 41308, 页码: 205-209 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Wang, Y 收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2013/04/17 PL spectrum  InAs/InP quantum dot  GSMBE  Growth temperature   Tuning photoluminescence of single inas quantum dot by electric field 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 6, 页码: 4279-4282 作者:  Chang Xiu-Ying;  Dou Xiu-Ming;  Sun Bao-Quan;  Xiong Yong-Hua;  Ni Hai-Qiao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Single inas quantum dot  Stark effect  Electron-hole separation   Tuning photoluminescence of single InAs quantum dot by electric field 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 2010, 卷号: 59, 59, 期号: 6, 页码: 4279-4282, 4279-4282 作者:  Chang XY (Chang Xiu-Ying);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao)   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/07/05 single InAs quantum dot  Single Inas Quantum Dot  Stark Effect  Electron-hole Separation  Stark effect  electron-hole separation   Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m inas/gaas quantum dot lasers 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 作者:  Ji Hai-Ming;  Cao Yu-Lian;  Yang Tao;  Ma Wen-Quan;  Cao Qing 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Maximum modal gain  P-doped  Inas/gaas quantum dot laser   Characteristic study of maximum modal gain of p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900 作者:  Ma WQ;  Yang T;  Cao YL 收藏  |  浏览/下载：250/62  |  提交时间：2010/03/08 maximum modal gain  p-doped  InAs/GaAs quantum dot laser   Electrical and optical properties of inas/gaas quantum dots doped by high energy mn implantation 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4930-4935 作者:  Hu Liang-Jun;  Chen Yong-Hai;  Ye Xiao-Ling;  Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion implantation  Inas/gaas quantum dot  Photoluminescence  Clusters   Anomalous photoluminescence of inas quantum dots implanted by mn ions 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225 作者:  Hu, L. J.;  Chen, Y. H.;  Ye, X. L.;  Huang, X. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Mn  Inas quantum dot   Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors 会议论文  OAI收割 2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004 Zeng, YX (Zeng, Yuxin); Liu, W (Liu, Wei); Yang, FH (Yang, Fuhua); Xu, P (Xu, Ping); Tan, PH (Tan, Pingheng); Zheng, HZ (Zheng, Houzhi); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Xing, YJ (Xing, Yingjie); Yu, DP (Yu, Dapeng) 收藏  |  浏览/下载：113/31  |  提交时间：2010/03/29 InAs quantum dot  photoluminescence  modulation-doped  field effect transistor  MU-M  CAPPING LAYER