机构

• 半导体研究所 [24]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [24]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [21]
• 会议论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [2]
• 2003 [1]
• 2001 [3]
• 2000 [10]
• 1999 [5]
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学科主题

• 半导体材料 [12]
• 半导体物理 [8]
• 光电子学 [2]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2012/02/06 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GROWTH  SEMICONDUCTORS  NANOSTRUCTURES  COMPUTATION  INGAAS   Optical characteristics of InAs quantum dots on GaAs matrix by using various InGaAs structures 期刊论文  OAI收割 journal of wuhan university of technology-materials science edition, 2006, 卷号: 21, 期号: 2, 页码: 76-79 Kong LM (Kong Lingmin); Cai JF (Cai Jiafa); Wu ZY (Wu Zhengyun); Gong Z (Gong Zheng); Fang ZD (Fang Zhidan); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 InGaAs layer  InAs quantum dots  time-resolved PL spectra  1.3 MU-M  CARRIER DYNAMICS  LASERS  GROWTH  WAVELENGTH  EMISSION  ISLANDS  LAYERS  SIZE   Growth of InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition and their optical properties 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 477-484 作者:  Ye XL;  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 bimodal size distribution  metalorganic vapor phase epitaxy  self-assembled quantum dots  indium arsenide  PHASE-EPITAXY  ISLANDS  INGAAS  SIZE  LASER   Silicon doping induced increment of quantum dot density 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318 作者:  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  silicon  doping  density  InGaAs/GaAs  SAOD  INGAAS  ISLANDS  GAAS   Mismatch and chemical composition analysis of vertical InxGa1-xAs quantum-dot arrays by transmission electron microscopy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 78, 期号: 24, 页码: 3830 Zhang, Q; Zhu, J; Ren, XW; Li, HW; Wang, TH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/18 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  SELF-ORGANIZATION  SUPERLATTICES  ISLANDS  GROWTH  GAAS  INGAAS   InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：150/18  |  提交时间：2010/08/12 MATRIX  ISLANDS  INGAAS   Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 10th international conference on narrow gap semiconductors and related small energy phenomena, physics and applications (ngs10), kanazawa, japan, may 27-31, 2001 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Lan Q; Kong YC; Zhou DY; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 molecular beam epitaxy  InGaAs islands  photolumineseence  line-width  1.3 MU-M  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  OPTICAL-PROPERTIES  CAP LAYER  GAAS  LUMINESCENCE  STRAIN   1.35 mu m photoluminescence from in0.5ga0.5as/gaas islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (inas)(1)/(gaas)(1) monolayer deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22 作者:  Wang, XD;  Niu, ZC;  Feng, SL;  Miao, ZH 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Mbe  Afm  Pl  Quantum islands  Ingaas/gaas  Strain   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS