机构

• 半导体研究所 [24]
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• OAI收割 [20]
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内容类型

• 期刊论文 [23]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2022 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [14]
• 半导体物理 [4]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Blue-Emitting InP/GaP/ZnS Quantum Dots with Enhanced Stability by Siloxane Capping: Implication for Electroluminescent Devices 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2022, 卷号: 5, 期号: 2, 页码: 11 作者:  Shen, Cong;  Tao, Houng;  Zhu, Yanqing;  Li, Jingling;  Zou, Jianhua   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2023/11/20 InP quantum dots  blue-emitting  core/shell structure  siloxane capping  stability  QLEDs   Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/04/11 DOT INFRARED PHOTODETECTORS  INAS/GAAS QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  SPECTROSCOPY  PHOTOCONDUCTIVITY  HETEROSTRUCTURES  TRANSITIONS  LASERS  WELLS  INP   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Inas nanostructure grown with different growth rate in inalas matrix on inp (001) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2004, 卷号: 23, 期号: 1-2, 页码: 31-35 作者:  Zhao, FA;  Wu, J;  Jin, P;  Xu, B;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas  Inalas/inp  Quantum dots  Quantum wires  Polarized photoluminescence   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：304/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled  MBE  quantum dots  photoluminescence  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  LASERS  INP   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 会议论文  OAI收割 conference on low dimensional structures and devices (ldsd), fortaleza, brazil, dec 08-13, 2002 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/11/15 INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157 He J; Wang XD; Xu B; Wang ZG; Qu SC 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  InGaAs/GaAs  quantum dots  photoluminescence  morphology  MU-M  WELL STRUCTURES  GAAS  LASERS  TEMPERATURE  STATES  INP   Structure and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots with In0.15Ga0.85As underlying layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 395-400 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  nanomaterials  quantum dots  semiconducting III-V materials  1.3 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  EXCITED-STATES  INXGA1-XAS  GROWTH  LASERS  INP   Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：119/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  QUANTUM DOTS  SURFACE-MORPHOLOGY  LOW-THRESHOLD  INP  INP(001)  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  ISLANDS  LAYER