机构

• 半导体研究所 [13]
• 力学研究所 [1]
• 物理研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [9]
• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [15]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [3]
• 2003 [5]
• 2002 [4]
• 2001 [2]
• 1998 [1]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [5]
• Physics, A... [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Gal(1-x)mn(1-x)sb grown on gasb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275 作者:  Chen, CL;  Chen, NF;  Liu, LF;  Wu, JL;  Liu, ZK 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam epitaxy  Semiconducting ternary compounds   (ga, gd, as) film growth on gaas substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455 作者:  Song, SL;  Chen, NF;  Zhou, JP;  Li, YL;  Chai, CL 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  Ion-beam epitaxy  Gadolinium compounds   Structure characterization and photon absorption analysis of carbon-doped beta-FeSi2 film 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2473 Li, XN; Nie, D; Dong, C; Xu, L; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/24 ION-BEAM SYNTHESIS  SEMICONDUCTING BETA-FESI2  SI(100)  EPITAXY  SI(001)  FESI2   (Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455 作者:  Song SL;  Chen NF(陈诺夫);  Zhou JP;  Li YL;  Chai CL 收藏  |  浏览/下载：919/46  |  提交时间：2009/08/03 Auger Electron Spectroscopy  X-Ray Diffraction  Ion-Beam Epitaxy  Gadolinium Compounds  Metal-Insulator-Transition  Epitaxy   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 作者:  Zhou, JP;  Chen, NF;  Song, SL;  Chai, CL;  Yang, SY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Magnetic semiconductor  Magnetic p-n junction  Ion beam epitaxy  Gadolinium silicides   (ga,mn,n) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 作者:  Zhang, FQ;  Chen, NF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文  OAI收割 symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002 Wang JX; Wang XL; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Hu GX; Liu HX; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ION-SCATTERING SPECTROSCOPY  LATTICE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  FILMS  POLARIZATION  GAN(0001)  SURFACES  GROWTH  DIODES   Gdxsi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 作者:  Zhou, JP;  Chen, NF;  Zhang, FQ;  Song, SL;  Chai, CL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  Ion beam epitaxy  Semiconducting gadolinium silicide