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• 期刊论文 [9]
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发表日期

• 2021 [1]
• 2015 [2]
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学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体化学 [1]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2021, 卷号: 13 作者:  Wang, Xinhua   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2021/04/26 GaN  first-principles  formation mechanism of crystallized Si2N2O  interface editing  LPCVD-SiNx  near-conduction band states   GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  MIS-HEMT  LPCVD  silicon nitride  gate dielectric   Characterization of Leakage and Reliability of SiNx Gate Dielectric by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition for GaN-based MIS-HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: 10, 页码: 8 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  gate dielectric  low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD)  silicon nitride   In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   沉积温度对a-SiNx：H薄膜PL峰的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 5，1553-1557 作者:  王小波;  董立军;  陈大鹏;  刘渝珍   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/05/26 Lpcvd  纳米硅镶嵌结构  Sinx薄膜  可见荧光   镀铂栅极抑制电子发射性能研究 期刊论文  OAI收割 稀有金属材料与工程, 2005, 期号: 11 蒋军; 江炳尧; 任琮欣; 张福民; 冯涛; 王曦; 柳襄怀; 邹世昌 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2012/01/06 微机械  悬桥  LPCVD  氮化硅  杨氏模量  残余应力  弯曲强度   Study of photoluminescence spectra of si-rich sinx films 期刊论文  iSwitch采集 Materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 19, 页码: 2397-2400 作者:  Liu, YZ;  Zhou, YQ;  Shi, WQ;  Zhao, LL;  Sun, BY 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/10 Photolumineseence  Rapid thermal annealing (rta)  Low pressure chemical vapor deposition (lpcvd)  Silicon nitride  Thin films  Optical materials and properties   Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文  OAI收割 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Sun, GS; Ning, J; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：220/60  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC  LPCVD homoepitaxial growth  thermal oxidization  MOS structures  HOT-WALL CVD   Formation of self-assembly and the mechanism of si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 12, 页码: 3108-3113 作者:  Peng, YC;  Ikeda, M;  Miyazaki, S 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Si nanoquanturn dots  Lpcvd  Self-assembed formation  Growth mechanism