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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 16 作者:  Zhang SM(张书明);  Yang H(杨辉);  Liu JP(刘建平);  Yang, J 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/12/19 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  YELLOW LUMINESCENCE  INTERSTITIAL CARBON  MOVPE GROWTH  LAYERS   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：129/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   MQW electroabsorption modulator-integrated DFB laser modules for high-speed transmission 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 734-739 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  MONOLITHIC INTEGRATION  SELECTIVE GROWTH  LAYERS  DIODE  MOVPE   Electroabsoorption-modulated laser light-source module using selective area growth for 10 Gb/s transmission 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1259-1263 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/04/11 ultra-low-pressure  selective area growth  integrated optoelectronics  10 Gb/s  MOVPE   Parasitic reaction and its effect on the growth rate of AlN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 72-75 作者:  Jiang DS;  Li XY;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/04/11 growth rate  parasitic reaction  MOCVD  AlN  GAS-PHASE REACTIONS  MOVPE GROWTH  ALGAN MOVPE  ALXGA1-XN   Influence of GaAsP insertion layers on performance of InGaAsP/InGaP/AlGaAs quantum-well laser 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2583-2586 Cao YL (Cao Yu-Lian); Lian P (Lian Peng); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang Q (Wang Qing); Wu XM (Wu Xu-Ming); He GR (He Guo-Rong); Li H (Li Hui); Wang XD (Wang Xiao-Dong); Song GF (Song Guo-Feng); Chen LH (Chen Liang-Hui) 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  DIODE-LASERS  INTERFACE CHARACTERISTICS  GROWTH SEQUENCE  MOVPE GROWTH  LP-MOVPE  HETEROSTRUCTURES  HETEROJUNCTION  POWER  NM   AlGaInAs narrow stripe selective growth on substrates patterned with different mask designs 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 2330-2334 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 VAPOR-PHASE EPITAXY  BURIED-HETEROSTRUCTURE LASERS  BANDGAP ENERGY CONTROL  QUANTUM-WELL LASERS  PRESSURE MOVPE  AREA GROWTH  INGAALAS  LAYERS   High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 27-31 作者:  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/04/11 selective area growth  ultra-low pressure  InGaAsP  tapered mask  integrated device  BURIED-HETEROSTRUCTURE  MONOLITHIC INTEGRATION  SELECTIVE MOVPE  LASER  MODULATOR   Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN