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浏览/检索结果: 共89条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536 作者:  Song, Jie;  Choi, Joowon;  Han, Jung   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/03/12 Gallium nitride  Dislocations  Metalorganic chemical vapor deposition  Superlattice  Light emitting diodes   Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 5 作者:  Liang, Feng;  Chen, Ping;  Zhao, De-Gang;  Jiang, De-Sheng;  Zhao, Zhi-Juan 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2017/01/23 AlN  electron affinity  photoelectron spectroscopy  metalorganic chemical vapor deposition   Control of residual carbon concentration in GaN high electron mobility transistor and realization of high-resistance GaN grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2014, 卷号: 564, 期号: 0, 页码: 135-139 作者:  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/12/02 Carbon impurity  Metalorganic chemical vapor deposition  High-resistance gallium nitride  High electron mobility transistors   Effects of temperature and substrate miscut on the crystalline quality of metamorphic AlInAs layers grown on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 381, 期号: 0, 页码: 70-76 作者:  Yu, SZ(于淑珍);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM(赵勇明) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/13 Atomic force microscopy  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Tilt generation and phase separation in metamorphic GaInP buffers grown on GaAs substrates by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 J. Crystal Growth, 2012, 卷号: 49, 期号: 43, 页码: 101 作者:  S.Z. Yu（于淑珍）;  Y.M. Zhao（赵勇明）;  H. Yang(杨辉);  J.R. Dong（董建荣） 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/01/16 X-ray diffraction  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Semiconductor III–V materials   Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/01/22 Diffusion  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys   The Effect of AlN Nucleation Temperature on the Growth of AlN Films via Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2012, 卷号: 41, 期号: 3, 页码: 466-470 Wang, H; Li, SL; Xiong, H; Wu, ZH; Dai, JN; Tian, Y; Fang, YY; Chen, CQ 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2013/04/17 Aluminum nitride  nucleation  pulsed atomic layer epitaxy  metalorganic chemical vapor deposition   Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  A-plane inn   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：127/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties 期刊论文  OAI收割 Physica B-Condensed Matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672 作者:  Yang H (杨辉);  Zhang SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2011/03/13 InGaN  Dislocation  Metalorganic chemical vapor deposition  High resolution X-ray diffraction  Cathodoluminescence