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浏览/检索结果: 共37条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Atomic-Scale Insights into the Interfacial Polarization Effect in the InGaN/GaN Heterostructure for Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2022, 页码: 8 作者:  Hao, Xiaodong;  Zhang, Xishuo;  Sun, Benyao;  Yin, Deqiang;  Dong, Hailiang   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2023/05/09 polarization charge effect  built-in electric field  p-n junction  semipolar InGaN  GaN interface  first principles calculation   Vertical GaN-on-GaN PIN diodes fabricated on free-standing GaN wafer using an ammonothermal method 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 804, 页码: 435-440 作者:  S.W.H.Chen;  H.Y.Wang;  C.Hu;  Y.Chen;  H.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/08/24 Free standing gallium nitride (GaN),GaN-On-GaN,Power PIN diode,p-n diodes,Chemistry   Reinventing a p-type doping process for stable ZnO light emitting devices 期刊论文  OAI收割 Journal of Physics D-Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 4 作者:  Xie, X. H.;  Li, B. H.;  Zhang, Z. Z.;  Shen, D. Z.   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/09/17 zinc oxide  p-type  self-compens-tion  doping  molecular-beam epitaxy  thin-films  room-temperature  mgzno films  diodes  nanoparticles  modulation  gan(0001)  inversion  epilayers  Physics   P型GaN材料生长及性能表征 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 liushuangtao 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/06/02 MOCVD  p-GaN  退火  Mg受主激活   n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204 作者:   收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2017/02/24 Vanadium oxide  p-GaN  Molecular beam epitaxy  Phase transition   Growth and characterization of VO2/p-GaN/sapphire heterostructure with phase transition properties 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2015, 卷号: 357, 页码: 282-286 作者:  Bian, Jiming;  Wang, Minhuan;  Miao, Lihua;  Li, Xiaoxuan;  Luo, Yingmin 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/03/01 Vanadium oxide  p-GaN  Pulsed laser deposition  Phase transition   Influence of a deep-level-defect band formed in a heavily Mg-doped GaN contact layer on the Ni/Au contact to p-GaN 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 5 作者:  Li,XJ;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2015/12/31 ohmic contact  p-type GaN  transportation mechanism  deep-level-defect band   Control of the Metal-Insulator Transition in VO2 Epitaxial Film by Modifying Carrier Density 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 12, 页码: 6875-6881 作者:  Chen, FH;  Fan, LL;  Chen, S;  Liao, GM;  Chen, YL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2016/04/18 vanadium dioxide  p-GaN  phase transition modulation  carrier concentration   Effects of polarization and p-type GaN resistivity on the spectral response of InGaN/GaN multiple quantum well solar cells 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 6 作者:  Yang, J;  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/12/08 nitride materials  external quantum efficiency  polarization  p-type GaN resistivity   Improvement on InGaN-based light emitting diodes using p-GaN layer grown at low temperature in full N-2 environment 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2014, 卷号: 211, 期号: 5, 页码: 1175 Deng, Z; Jiang, Y; Zuo, P; Fang, YT; Ma, ZG; Jia, HQ; Zhou, JM; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/04/14 efficiency droop  GaN light emitting diodes  low temperature  p-GaN layer