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• 光电技术研究所 [10]

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• OAI收割 [10]

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• 期刊论文 [10]

发表日期

• 2016 [1]
• 2015 [2]
• 2013 [3]
• 2012 [3]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Photocarrier Radiometry Investigation of Light-Induced Degradation of Boron-Doped Czochralski-Grown Silicon Without Surface Passivation 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2016, 卷号: 37, 期号: 4 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/06/27 B-O defect  Light-induced degradation  Photocarrier radiometry  Silicon  Surface state   Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1045-1050 作者:  Ren, Shengdong;  Li, Bincheng;  Wang, Qian 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/09/21 Carrier effective lifetime  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing   Photocarrier Radiometry Characterization of Ultra-shallow Junctions (USJ) in Silicon with Excimer Laser Irradiation 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5-6, 页码: 1173-1180 作者:  Wang, Qian;  Li, Bincheng;  Ren, Shengdong;  Wang, Qiang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/09/21 Ion implantation  Laser irradiation  Photocarrier radiometry  Silicon  Ultra-shallow junction   Characterization of Silicon Wafers with Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2013, 卷号: 34, 期号: 8-9, 页码: 1735-1745 作者:  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2015/04/17 Electronic transport properties  Free carrier absorption  Ion implantation  Photocarrier radiometry  Silicon  Thermal annealing   Optical and photo-carrier characterization of ultra-shallow junctions in silicon 期刊论文  OAI收割 SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 1294-1300 作者:  Huang QiuPing;  Li BinCheng;  Ren ShengDong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  spectroscopic ellipsometry  photoluminescence  ultra-shallow junctions  silicon   Combined frequency- and time-domain photocarrier radiometry characterization of ion-implanted and thermally annealed silicon wafers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 5 作者:  Ren Sheng-Dong;  Li Bin-Cheng;  Gao Li-Feng;  Wang Qian 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/17 photocarrier radiometry  ion implantation  effective lifetime  silicon   Accuracy Improvement of Multi-parameter Estimation in Combined Photocarrier Radiometry and Free Carrier Absorption for Characterization of Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2012, 卷号: 33, 期号: 10-11, 页码: 2076-2081 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng;  Ren, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/07/10 Electronic transport properties  Free carrier absorption  Multi-parameter fitting  Photocarrier radiometry  Silicon   Characterization of Arsenic Ultra-Shallow Junctions in Silicon Using Photocarrier Radiometry and Spectroscopic Ellipsometry 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2012, 卷号: 33, 期号: 10-11, 页码: 2082-2088 作者:  Huang, Qiuping;  Li, Bincheng;  Gao, Weidong 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/07/10 Ion implantation  Photocarrier radiometry  Silicon  Spectroscopic ellipsometry  Ultra-shallow junction   Analysis of Enhanced Photocarrier Radiometry Signals for Ion-Implanted and Annealed Silicon Wafers 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF THERMOPHYSICS, 2012, 卷号: 33, 期号: 10-11, 页码: 2089-2094 作者:  Liu, Xianming;  Li, Bincheng;  Huang, Qiuping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/07/10 Ion implantation  Photocarrier radiometry  Quantum efficiency  Thermal annealing   Thermal annealing induced photocarrier radiometry enhancement for ion implanted silicon wafers 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 9 作者:  Liu Xian-Ming;  Li Bin-Cheng;  Huang Qiu-Ping 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/09/21 photocarrier radiometry  ion implantation  thermal annealing  silicon