机构

• 半导体研究所 [10]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2007 [2]
• 2004 [2]
• 2003 [2]
• 1999 [2]
• 1996 [2]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-quality InGaN epilayers grown by PA-MBE and abnormal incorporation behavior of Indium into InGaN 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 8 作者:  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/01/13 InGaN epilayer  plasma-assisted molecular beam epitaxy  indium incorporation  crystalline quality   Morphological and electrical properties of inp grown by solid source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 243-247 作者:  Pi, Biao;  Shu, Yongchun;  Lin, Yaowang;  Sun, Jiaming;  Qu, Shengchun 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron concentration  High electron mobility  Surface morphology  Inp epilayer  Molecular beam epitaxy   Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Ning, J (Ning, J.); Li, JY (Li, J. Y.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Luo, MC (Luo, M. C.); Li, JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：110/26  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxy  4H-SiC  multi-epilayer  UV detection  p(+)-pi-n(-)  ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR  EPITAXIAL-GROWTH   Photoluminescence characteristics of gaassbn/gaas epilayers lattice-matched to gaas substrates 期刊论文  iSwitch采集 Solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711 作者:  Bian, LF;  Jiang, DS;  Tan, PH;  Lu, SL;  Sun, BQ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Gaassbn epilayer  Pl spectra  Rta   Photoluminescence characteristics of GaAsSbN/GaAs epilayers lattice-matched to GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 707-711 作者:  Tan PH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：164/55  |  提交时间：2010/03/09 GaAsSbN epilayer   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of zn1-xmnxse epilayer grown by mocvd on gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Lu, SL;  Wang, JN;  Huang, JS;  Bian, LF;  Jiang, DS 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Metalorganic chemical vapor deposition  Epilayer  Semiconducting ii-vi materials   The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543 作者:  Zhang JY;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  metalorganic chemical vapor deposition  epilayer  semiconducting II-VI materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAP   The effects of carbonized buffer layer on the growth of sic on si 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 564-567 作者:  Wang, YS;  Li, JM;  Zhang, FF;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Si  Sic  Carbonization  Rheed  Single crystal epilayer   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  carbonization  RHEED  single crystal epilayer  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM  HETEROEPITAXIAL GROWTH   Characterization and improvement of GaAs layers grown on Si using an ultrathin a-Si film as a buffer layer 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1996, 卷号: 35, 期号: 8a, 页码: l960-l963 Hao MS; Shao CL; Soga T; Jimbo T; Umeno M; Liang JW; Zheng LX; Xiao ZB; Xiao JF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 GaAs/Si epilayer  a-Si buffer layer  deep level  MOCVD  DISLOCATION DENSITY