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浏览/检索结果: 共65条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic Structures and Optical Properties of Ga Doped Single-Layer Indium Nitride 期刊论文  OAI收割 CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2018, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 313-317 作者:  Li, ZW;  Guo, DP;  Huang, GY;  Tao, WL;  Duan, MY   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/17 LIGHT-EMITTING-DIODES  INN  TRANSITION  TRANSPORT  BLUE   Mesoporous InN/In2O3 heterojunction with improved sensitivity and selectivity for room temperature NO2 gas sensing 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 27, 期号: 38 作者:  Jiao, Yutong;  Qu, Fengdong;  Lu, Honghong;  Guarecuco, Rohiverth;  Yang, Minghui 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/10/29 InN/In2O3  heterojunction  NO2  room temperature  gas sensor   GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文  OAI收割 Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2 C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/12/24 Thin films  nitrides  sputtering  microstructure  chemical-vapor-deposition  molecular-beam epitaxy  optical-properties  lattice-constants  phase epitaxy  wurtzite inn  thin-films  layers  spectroscopy  nitridation   Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2012, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Qin Fuwen;  Zhang Dong;  Bai Yizhen;  Ju Zhenhe;  Li Shuangmei   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  InN films  ECR-PEMOCVD  sapphire substrates  semiconductor devices   Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  A-plane inn   Vapor-liquid-solid meets vapor-solid growth mechanism for fabricating high quality indium nitride crystallites 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2011, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 3649 Liu, HB; Xie, SS; Cheng, GS 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/23 SELECTIVE-AREA GROWTH  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRE GROWTH  INN  EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE   Vapor-liquid-solid meets vapor-solid growth mechanism for fabricating high quality indium nitride crystallites 期刊论文  OAI收割 CRYSTENGCOMM, 2011, 卷号: 13, 期号: 11, 页码: 3649-3652 作者:  Cheng Guosheng(程国胜);  Cheng Guosheng(程国胜) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/08/24 SELECTIVE-AREA GROWTH  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRE GROWTH  INN  EMISSION  PHOTOLUMINESCENCE  SURFACE   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：126/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101 Deng QW; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yin HB; Chen H; Lin DF; Jiang LJ; Feng C; Li JM; Wang ZG; Hou X 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  BAND-GAP  MG  PHOTOLUMINESCENCE  INGAN  DEPENDENCE  STRAIN  ENERGY  INN