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浏览/检索结果: 共188条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文  OAI收割 Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110 作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  high-quality aln  temperature  stimulated-emission  2nd-order optical-response  atomic-layer epitaxy  vapor-phase epitaxy  z-scan measurement  p-type conduction  room-temperature  avalanche photodiodes  Optics   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Progress in bulk GaN growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16 作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/12/31 nitride semiconductor  bulk GaN  hydride vapor phase epitaxy (HVPE)  dislocation   Origin of Yellow-Band Emission in Epitaxially Grown GaN Nanowire Arrays 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2014, 卷号: 6, 期号: 16, 页码: 14159-14166 B. D. Liu; F. Yuan; B. Dierre; T. Sekiguchi; S. Zhang; Y. K. Xu; X. Jiang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/01/14 GaN  nanowire arrays  epitaxial growth  interface  yellow-band emission  vapor-phase epitaxy  gallium nitride  spatial-distribution  luminescence  carbon  cathodoluminescence  microstructure  nanodevices  fabrication  mechanism   Temperature-related exciton features on the Ga/N-Faces of a free-standing HVPE GaN 期刊论文  OAI收割 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2014, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 553-558 作者:  Jiang, CP (蒋春萍.);  Xu, K (徐科.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/02/03 VAPOR-PHASE EPITAXY  LUMINESCENCE   Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Shock-induced brittle cracking in HVPE-GaN processed by laser lift-off techniques 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 46, 期号: 20 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, Y(徐俞);  Yang, H(杨辉);  Wang, JF(王建峰);  Xu, K(徐科) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2014/01/15 VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  RAMAN-SCATTERING  ORGANIC-SOLIDS  GROWTH  ABLATION  FEMTOSECOND  LAYERS   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48 作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/01/09 Organometallic vapor phase epitaxy