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采集方式
OAI收割 [30]
内容类型
专利 [17]
期刊论文 [13]
发表日期
1996 [30]
学科主题
半导体物理 [3]
半导体材料 [2]
Astronomy ... [1]
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共30条,第1-10条
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存缴方式:oaiharvest
发表日期:1996
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Semiconductor optical device
专利
OAI收割
专利号: US5583878, 申请日期: 1996-12-10, 公开日期: 1996-12-10
作者:
SHIMIZU, HITOSHI
;
IRIKAWA, MICHINORI
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提交时间:2020/01/18
Article comprising a semiconductor waveguide structure
专利
OAI收割
专利号: EP0744801A1, 申请日期: 1996-11-27, 公开日期: 1996-11-27
作者:
CAPASSO, FREDERICO
;
CHO, ALFRED YI
;
FAIST, JEROME
;
HUTCHINSON, ALBERT LEE
;
SIRTORI, CARLO
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor ridge waveguide laser with lateral current injection
专利
OAI收割
专利号: US5563902, 申请日期: 1996-10-08, 公开日期: 1996-10-08
作者:
XU, JINGMING
;
SHUR, MICHAEL
;
GELMONT, BORIS
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提交时间:2019/12/26
Buried reverse bias junction configurations in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth and device structures utilizing the same
专利
OAI收割
专利号: US5563094, 申请日期: 1996-10-08, 公开日期: 1996-10-08
作者:
PAOLI, THOMAS L.
;
EPLER, JOHN E.
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提交时间:2019/12/26
Vertical cavity semiconductor laser
专利
OAI收割
专利号: US5559053, 申请日期: 1996-09-24, 公开日期: 1996-09-24
作者:
CHOQUETTE, KENT D.
;
FREUND, ROBERT S.
;
HONG, MINGHWEI
;
VAKHSHOORI, DARYOOSH
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提交时间:2019/12/26
Visible-wavelength semiconductor lasers and arrays
专利
OAI收割
专利号: US5557627, 申请日期: 1996-09-17, 公开日期: 1996-09-17
作者:
SCHNEIDER, JR., RICHARD P.
;
CRAWFORD, MARY H.
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提交时间:2019/12/26
Binary stratified structures for periodically pumped semiconductor lasers
专利
OAI收割
专利号: US5550854, 申请日期: 1996-08-27, 公开日期: 1996-08-27
作者:
CHEN, HOWARD Z.
;
CHO, ALFRED Y.
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提交时间:2019/12/26
半導体レ—ザ—
专利
OAI收割
专利号: JP2543551B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-16
作者:
関口 芳信
;
池田 外充
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提交时间:2019/12/26
Article comprising a semiconductor laser with carrier stopper layer
专利
OAI收割
专利号: US5539762, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23
作者:
BELENKY, GREGORY
;
KZARINOV, RUDOLF F.
;
KOJIMA, KEISUKE
;
REYNOLDS, JR., CLAUDE L.
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提交时间:2019/12/26
半導体レ-ザ
专利
OAI收割
专利号: JP2525618B2, 申请日期: 1996-05-31, 公开日期: 1996-08-21
作者:
岩野 英明
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提交时间:2020/01/13