机构

• 半导体研究所 [18]
• 中国科学院大学 [5]
• 高能物理研究所 [3]
• 大连化学物理研究所 [2]
• 化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [18]
• iSwitch采集 [11]

内容类型

• 期刊论文 [23]
• 会议论文 [3]
• 学位论文 [2]
• 专利 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [2]
• 2006 [6]
• 2005 [5]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [9]
• 半导体物理 [2]
• 物理化学 [2]
• Physics [1]
• Science & ... [1]
• 材料物理与化学 [1]
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筛选

浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 一种等离子体-热丝-偏压结合制备硅薄膜的装置及方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN201310121151.8, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2014-10-15 作者:  李灿;  秦炜;  刘生忠;  王书博 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/11/16 催化化学气相沉积制备硅薄膜及纳米材料的研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院, 2013 程士敏 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2013/10/10 Aligned amorphous and microcrystalline Si nanorods by glancing angle deposition at low temperature 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 27 作者:  Ma, Yanhong;  Liu, Fengzhen;  Zhu, Meifang;  Liu, Jinlong;  Wang, Huan-hua   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/09 Aligned amorphous and microcrystalline Si nanorods by glancing angle deposition at low temperature 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2009, 卷号: 20, 期号: 27, 页码: 275201 作者:  Ma, YH;  Liu, FZ;  Zhu, MF;  Liu, JL;  Wang, HH 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/29 The comparisons of growth mechanisms for si thin films with different deposition rates in cvd process by the description of the roughness evolution 期刊论文  iSwitch采集 Journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2345-2349 作者:  Liu, F.;  Sun, Z.;  Zi, W.;  Zhou, Y.;  Zhu, M. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/10 Silicon  Chemical vapor deposition  Atomic force microscopy  Micro-crystallinity   Comparison of growth mechanisms of silicon thin films prepared by hwcvd with pecvd 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 5, 页码: 564-567 作者:  Zhou, Yuqin;  Zhou, Bingqing;  Gu, Jinhua;  Zhu, Meifang;  Liu, Fengzhen 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/10 Hwcvd  Pecvd  Silicon thin film  Deposition process  Growth mechanism  Computer simulation   High quality microcrystalline si films by hydrogen dilution profile 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 2, 页码: 452-455 作者:  Gu, Jinhua;  Zhu, Meifang;  Wang, Liujiu;  Liu, Fengzhen;  Zhou, Bingqing 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Microcrystalline si thin film  Hydrogen dilution profiling  Incubation layer  Uniformity   Properties of n-type mu c-si : h films by cat-cvd for c-si heterojunction solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2006, 卷号: 501, 期号: 1-2, 页码: 141-143 作者:  Zhang, Q;  Zhu, M;  Liu, F;  Liu, J 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/10 Hwcvd  N-type mu c-si : h films  Heterojunction solar cells   Nano-structure in micro-crystalline silicon thin films studied by small-angle x-ray scattering 期刊论文  iSwitch采集 Thin solid films, 2006, 卷号: 501, 期号: 1-2, 页码: 113-116 作者:  Zhou, BQ;  Liu, FZ;  Gu, JH;  Zhang, QF;  Zhou, YQ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/10 Micro-crystalline si  Thin film  Nano-structure  Saxs   Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文  OAI收割 international conference on silicon carbide and related materials (icscrm 2005), pittsburgh, pa, sep 18-23, 2005 Sun, GS (Sun, Guosheng); Ning, J (Ning, Jin); Gong, QC (Gong, Quancheng); Gao, X (Gao, Xin); Wang, L (Wang, Lei); Liu, XF (Liu, Xingfang); Zeng, YP (Zeng, Yiping); Li, JM (Li, Jinmin) 收藏  |  浏览/下载：99/29  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxial growth  low-pressure hot-wall CVD  structural and optical characteristics  intentional doping  Schottky barrier diodes