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• 期刊论文 [18]
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发表日期

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学科主题

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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Comparison of morphology, structure and optical properties of GaN powders prepared by Ga2O3 nitridation and gallium nitridation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 367, 期号: 0, 页码: 48-52 作者:  Zhang, JP(张锦平);  Zeng, XH(曾雄辉);  Xu, K(徐科);  Xu, Y(徐俞);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/01/09 Characterization  Crystal morphology  Crystal structure  Luminescence  Powders  Semiconducting gallium nitride   Theoretical Study about the formation of the stacking faults in GaN nanowires along different growth directions 会议论文  OAI收割 International Conference on Computational Materials Science, Guangzhou, PEOPLES R CHINA, APR 17-18, 2011 作者:  Zhang, JP (张锦平);  Yang, H (杨辉);  Xu, K (徐科);  Gong, XJ (弓晓晶);  Gong, XJ (弓晓晶) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/08/24 Gallium nitride nanowire  stacking faults  molecular dynamics simulations   The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations 期刊论文  OAI收割 physics letters a, PHYSICS LETTERS A, 2011, 2011, 卷号: 375, 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155, 1152-1155 作者:  Liu CR;  Li JB;  Liu, CR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. supermanliu5@semi.ac.cn;  jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：58/6  |  提交时间：2011/07/05 First principle calculation  Indium nitride  Band gap  Defect  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  AUGMENTED-WAVE METHOD  INDIUM NITRIDE  GAP  PSEUDOPOTENTIALS  SEMICONDUCTORS  IMPURITIES  ABSORPTION  DEFECTS  ALLOYS  First Principle Calculation  Indium Nitride  Band Gap  Defect  Initio Molecular-dynamics  Augmented-wave Method  Indium Nitride  Gap  Pseudopotentials  Semiconductors  Impurities  Absorption  Defects  Alloys   First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions 期刊论文  iSwitch采集 Computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348 作者:  Wang, Zhiguo;  Zhang, Chunlai;  Li, Jingbo;  Gao, Fei;  Weber, William J. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan nanowires  Electronic properties  First principles   First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions 期刊论文  OAI收割 computational materials science, COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2010, 2010, 卷号: 50, 50, 期号: 2, 页码: 344-348, 344-348 作者:  Wang ZG;  Zhang CL;  Li JB;  Gao F;  Weber WJ   |  收藏  |  浏览/下载：52/11  |  提交时间：2011/07/05 GaN nanowires  Electronic properties  First principles  GAN NANOWIRES  AB-INITIO  EMISSION PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  ARRAYS  Gan Nanowires  Electronic Properties  First Principles  Gan Nanowires  Ab-initio  Emission Properties  Semiconductors  Arrays   Structure and electronic properties of saturated and unsaturated gallium nitride nanotubes 期刊论文  iSwitch采集 Journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 44, 页码: 19281-19285 作者:  Wang, Zhiguo;  Wang, Shengjie;  Li, Jingbo;  Gao, Fei;  Weber, William J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Structure and Electronic Properties of Saturated and Unsaturated Gallium Nitride Nanotubes 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 44, 页码: 19281-19285 Wang ZG (Wang Zhiguo); Wang SJ (Wang Shengjie); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：235/46  |  提交时间：2010/03/08 DENSITY-FUNCTIONAL CALCULATIONS   Effect of growth conditions on the gan thin film by sputtering deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 268-271 作者:  Zhang, C. G.;  Bian, L. F.;  Chen, W. D.;  Hsu, C. C. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Phase equilibria  Radio-frequency magnetron sputtering  Sputtering  Gallium compounds  Gallium nitride  Semiconducting gallium compounds  Semiconducting iii-v materials   Three-dimensional dendrite-like nanostructures of gallium nitride 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 308, 期号: 1, 页码: 166-169 Q. F. Meng; C. B. Jiang; S. X. Mao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13 nanostructures  gallium compounds  nanomaterials  semiconducting  materials  thermal evaporation  nanowire networks  zinc-oxide  gan  nanobelts  nanorods  zno   Synthesis of gan nanowires and nano-pyramids in a two-hot-boat chemical vapor deposition system via an in-doping technique 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4329-4333 作者:  Liu, SF;  Qin, GG;  You, LP;  Zhang, JC;  Fu, ZX 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Nanostructure  Transmission electron microscopy  Photoluminescence