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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Misfit Relaxation Mechanisms and Domain Ordering in Anisotropically Strained Manganite Thin Films 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2020, 卷号: 12 作者:  Zhang, Zixun;  Feng, Qiyuan;  Jin, Feng;  Yin, Zhizhen;  Xie, Caihong   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/11/30 anisotropic strain relaxation  domain evolution and ordering  reciprocal space mappings  magnetic force microscopy  manganites   Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14 nm nodes FinFET technology 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2016, 卷号: 163, 页码: 49-54 作者:  Wang, GL;  Qin, CL;  Yin, HX;  Luo, J;  Duan, NY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2017/03/02 FinFET  SiGe selective epitaxy  RPCVD  High-k & metal gate   Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267 作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/13 Stresses  X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Self-generated in-plane superlattice in relaxed epitaxial La0.67Sr0.33MnO3 films 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 4 T. F. Zhou; G. Li; X. G. Li; S. W. Jin; W. B. Wu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/13 la0.7sr0.3mno3 thin-films  strain  la2/3sr1/3mno3  microstructure   High-resolution X-ray diffraction analysis of InN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 POWDER DIFFRACTION, 2007, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 219 Wang, WJ; Sugita, K; Nagai, Y; Houchin, Y; Hashimoto, A; Yamamoto, A 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/17 Microstrain in Al0.22Ga0.78N/GaN heterostructure studied by X-ray diffraction and scattering 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2005, 卷号: 397, 期号: 1-2, 页码: #REF! 作者:  Tan, WS;  Cai, HL;  Wu, XS;  Jiang, SS;  Zheng, WL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/04/12 AlGaN/GaN heterostructure  reciprocal space mappings  strain relaxation  grazing incidence X-ray diffraction   Microstructures and strain relaxation in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 2004, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 989-998 作者:  Tan, WS;  Shen, B;  Sha, H;  Cai, HL;  Wu, XS 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2016/06/29 high resolution X-ray diffraction  metal organic chemical vapor deposition  reciprocal space mapping  semiconducting III-V nitride  strain relaxation  relaxation line model   Investigation of {111}a and {111} planes of c-gan epilayers grown on gaas(001) by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Metalorganic chemical vapor deposition  Gallium compounds   Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/12  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  GAAS