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感应加热式MOCVD设备的模拟仿真与研制 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:  梅书哲
收藏  |  浏览/下载：179/0  |  提交时间：2018/06/11
AlGaN基深紫外激光器材料的MOCVD生长研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
陈翔
收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/06/05
AlN材料外延技术及其应用研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2017
杜泽杰
收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2017/05/27
P型GaN材料生长及性能表征 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
liushuangtao
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/06/02
Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
何晓光
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2016/06/02
GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻  
石墨烯在外延Ⅲ族氮化物中的应用研究 学位论文  OAI收割
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
曾清
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/05/31
Selective-Area MOCVD Growth and Carrier-Transport-Type Control of InAs(Sb)/GaSb Core-Shell Nanowires 期刊论文  OAI收割
nano letters, 2016, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 7580-7587
Xianghai Ji; Xiaoguang Yang; Wenna Du; Huayong Pan; Tao Yang
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2017/03/10
High-Mobility In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs Grown on Ge/Si Virtual Substrate by MOCVD 期刊论文  OAI收割
ieee transactions on electron devices, 2015, 卷号: 62, 期号: 5, 页码: 1456-1459
Xiangting Kong; Xuliang Zhou; Shiyan Li; Hudong Chang; Honggang Liu; Jing Wang; Renrong Liang; Wei Wang; Jiaoqing Pan
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2016/03/23
High-Performance In0.23Ga0.77As Channel MOSFETs with High Current Ratio on/ off Grown on Semi-insulating GaAs Substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割
chinese physics letters, 2015, 卷号: 32, 期号: 3, 页码: 37301-37303
XiangTing Kong; XuLiang Zhou; ShiYan Li; LiJun Qiao; HongGang Liu; Wei Wang; JiaoQing Pan
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/03/23