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半导体研究所 [74]
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OAI收割 [74]
内容类型
期刊论文 [71]
会议论文 [3]
发表日期
2017 [5]
2016 [3]
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学科主题
光电子学 [74]
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共74条,第1-10条
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学科主题:光电子学
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Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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提交时间:2018/11/30
High quantum efficiency N-structure type-II superlattice mid-wavelength infrared detector with resonant cavity enhanced design
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 105, 期号: 2017, 页码: 28-33
作者:
Haoyue Wu
;
Yun Xu
;
Jian Li
;
Yu Jiang
;
Lin Bai
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2018/11/30
Suppression of optical field leakage to GaN substrate in GaN-based green laser diode
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 484-489
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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提交时间:2018/07/11
Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 111, 页码: 286-292
作者:
Suyuan Wang
;
Jun Zheng
;
Chunlai Xue
;
Chuanbo Li
;
Yuhua Zuo
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/07/02
Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
期刊论文
OAI收割
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
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提交时间:2018/07/11
Understanding droop effect by analysis on carrier density dependence in InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 96, 页码: 220-225
Wei Liu
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
;
Jing Yang
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
;
Xiang Li
;
Feng Liang
;
Jianping Liu
;
Liqun Zhang
;
Hui Yang
;
Yuantao Zhang
;
Guotong Du
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提交时间:2017/03/10
Growth parametric study of N-polar InGaN films by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 91, 页码: 259-268
Fan Yang
;
Yuan-tao Zhang
;
Xu Han
;
Peng-chong Li
;
Jun-yan Jiang
;
Zhen Huang
;
Jing-zhi Yin
;
De-gang Zhao
;
Bao-lin Zhang
;
Guo-tong Du
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提交时间:2017/03/10
Influence of InGaN growth rate on the localization states and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 97, 页码: 186-192
X. Li
;
D.G. Zhao
;
J. Yang
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
F. Liang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2017/03/10
A modified structure with asymmetric and doping barrier interlayers of GaAs-based laser diodes with both small vertical divergence angle and low threshold
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 80, 期号: 2015, 页码: 111–117
X. Li
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
M. Shi
;
D.M. Zhao
;
W. Liu
;
J.J. Zhu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
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提交时间:2016/03/23
The difference in efficiency droop behaviors of two InGaN/GaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes with modified structural parameters
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2015, 卷号: 88, 页码: 50-55
W. Liu
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
X. Li
;
F. Liang
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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提交时间:2016/03/23