机构

• 半导体研究所 [11]

采集方式

• OAI收割 [11]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [3]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2002 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [11]

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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：236/104  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier density  carrier mobility  dislocation density  dislocation scattering  gallium compounds  III-V semiconductors  semiconductor heterojunctions  wide band gap semiconductors   Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 4H-SiC  homoepitaxial layers  surface morphological defect  optical microscopy  SILICON-CARBIDE  DISLOCATIONS  FILMS   Ordering growth of InAs quantum dots on ultra-thin InGaAs strained layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 265, 期号: 1-2, 页码: 60-64 Zhang, CL; Wang, ZG; Zhao, FA; Xu, B; Jin, P 收藏  |  浏览/下载：211/52  |  提交时间：2010/03/09 line defects   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文  OAI收割 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY