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  • 微电子研究所 [12]
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形成纳米线阵列的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410766450.1, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-07-06
作者:  洪培真;  徐秋霞;  殷华湘;  李俊峰;  赵超
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半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310269697.8, 申请日期: 2018-11-06, 公开日期: 2014-12-31
作者:  秦长亮;  徐强;  洪培真;  殷华湘;  尹海洲
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/03/26
鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410392773.9, 申请日期: 2018-07-10, 公开日期: 2016-02-17
作者:  洪培真;  殷华湘;  朱慧珑;  刘青;  李俊峰
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/21
半导体器件制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310173339.7, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2014-11-12
作者:  秦长亮;  洪培真;  尹海洲;  殷华湘;  李俊峰
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/21
一种硅深孔刻蚀方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:  赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真
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Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2017
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson
  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/07/09
Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan 期刊论文  OAI收割
Applied Surface Science, 2016
作者:  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真);  He XB(贺晓彬);  Li CL(李春龙);  Li JJ(李俊杰)
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09
一种纳米线及阵列的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN201310542253.7, 申请日期: 2016-06-29, 公开日期: 2015-05-13
作者:  马小龙;  殷华湘;  徐秋霞;  李俊峰;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/06/12
Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs 期刊论文  OAI收割
Journal of Semiconductors, 2015
作者:  Zhao ZG(赵治国);  Luo J(罗军);  Yang H(杨红);  Meng LK(孟令款);  Hong PZ(洪培真)
  |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2016/05/31
Self-assembling morphologies of symmetrical PS-b-PMMA in different sized confining grooves 期刊论文  OAI收割
RSC Advances, 2014
作者:  He XB(贺晓彬);  Chen WH(陈文辉);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙);  Hong PZ(洪培真)
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