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半导体研究所 [22]
采集方式
iSwitch采集 [13]
OAI收割 [9]
内容类型
期刊论文 [21]
会议论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2015 [1]
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光电子学 [1]
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专题:半导体研究所
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Helicity-dependent photocurrent induced by the in-plane transverse electric current in an InAs quantum well
期刊论文
OAI收割
scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 31189
J. B. Li
;
X. G. Wu
;
G. W. Wang
;
Y. Q. Xu
;
Z. C. Niu
;
X. H. Zhang
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提交时间:2017/03/16
Coupling and single-photon purity of a quantum dot-cavity system studied using hydrostatic pressure
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2015, 卷号: 117, 期号: 1, 页码: 014304
P. Y. Zhou
;
X. F. Wu
;
K. Ding
;
X. M. Dou
;
G. W. Zha
;
H. Q. Ni
;
Z. C. Niu
;
H. J. Zhu
;
D. S. Jiang
;
C. L. Zhao
;
B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
Polarization of the edge emission from Ag/InGaAsP Schottky plasmonic diode
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 6, 页码: 061112
Wang, C.
;
Qu, H. J.
;
Chen, W. X.
;
Ran, G. Z.
;
Yu, H. Y.
;
Niu, B.
;
Pan, J. Q.
;
Wang, W.
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提交时间:2013/09/22
Quantum-dot-induced optical transition enhancement in inas quantum-dot-embedded p-i-n gaas solar cells
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 3
作者:
Shang, X. -J.
;
He, J. -F.
;
Li, M. -F.
;
Zhan, F.
;
Ni, H. -Q.
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提交时间:2019/05/12
High-performance metamorphic ingaas resonant cavity enhanced photodetector grown on gaas substrate
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 20, 页码: 3
作者:
Liu, S. Q.
;
Han, Q.
;
Zhu, B.
;
Yang, X. H.
;
Ni, H. Q.
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提交时间:2019/05/12
Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341
作者:
Shang, X. J.
;
He, J. F.
;
Wang, H. L.
;
Li, M. F.
;
Zhu, Y.
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提交时间:2019/05/12
The effect of an electric field on the nonlinear response of inas/gaas quantum dots
期刊论文
iSwitch采集
Journal of optics, 2010, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 5
作者:
Huang, X.
;
Zhang, X. H.
;
Zhu, Y. G.
;
Li, T.
;
Han, L. F.
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提交时间:2019/05/12
Inas quantum dots
Nonlinear refraction
Reflection z-scan
Dc electric field effect
The refractive nonlinearities of inas/gaas quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
iSwitch采集
Optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513
作者:
Huang, X.
;
Zhang, X. H.
;
Zhu, Y. G.
;
Li, T.
;
Han, L. F.
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提交时间:2019/05/12
Inas quantum dots
Nonlinear refraction
Reflection z-scan
Temperature dependence of hole spin relaxation in ultrathin inas monolayers
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 1597-1600
作者:
Li, T.
;
Zhang, X. H.
;
Zhu, Y. G.
;
Huang, X.
;
Han, L. F.
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提交时间:2019/05/12
Ultrathin inas monolayer
Hole spin relaxation
Dp mechanism
Characterization and analysis of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities at room temperature
期刊论文
OAI收割
microelectronic engineering, 2010, 卷号: 87, 期号: 10, 页码: 1834-1837
Peng YS (Peng Y. S.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Niu JB (Niu J. B.)
;
Jia R (Jia R.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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提交时间:2010/08/17
Photonic crystal nanocavities
Quantum dots
Cavity resonant mode
Room temperature