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机构
西安光学精密机械研... [29]
采集方式
OAI收割 [29]
内容类型
专利 [29]
发表日期
2008 [1]
2007 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [3]
2000 [4]
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半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP4163321B2, 申请日期: 2008-08-01, 公开日期: 2008-10-08
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
藤井 克司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体発光装置およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2007049188A, 申请日期: 2007-02-22, 公开日期: 2007-02-22
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
藤井 克司
;
後藤 秀樹
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/01/18
V溝構造を有する半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
作者:
下山 謙司
;
長尾 哲
;
清見 和正
;
後藤 秀樹
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/24
光半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3306390B2, 申请日期: 2002-05-10, 公开日期: 2002-07-24
作者:
下山謙司
;
後藤秀樹
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザーおよびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP3243808B2, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2002-01-07
作者:
下山 謙司
;
藤井 克司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/18
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP3241360B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:
下山 謙司
;
後藤 秀樹
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2001024281A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
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提交时间:2020/01/18
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000294879A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
作者:
下山 謙司
;
清見 和正
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提交时间:2020/01/13
自励発振型半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000277856A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:
下山 謙司
;
佐藤 義人
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提交时间:2019/12/31
半導体発光装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000277865A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
作者:
下山 謙司
;
細井 信行
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提交时间:2020/01/18