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机构
西安光学精密机械研... [13]
采集方式
OAI收割 [13]
内容类型
专利 [13]
发表日期
2010 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2004 [2]
2003 [2]
2002 [1]
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半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2010045412A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25
作者:
西口 晴美
;
八木 哲哉
;
吉田 保明
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP4097552B2, 申请日期: 2008-03-21, 公开日期: 2008-06-11
作者:
松岡 裕益
;
國次 恭宏
;
西口 晴美
;
八木 哲哉
;
中川 康幸
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提交时间:2020/01/13
半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN1306669C, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:
西口晴美
;
八木哲哉
;
吉田保明
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
作者:
竹見 政義
;
小野 健一
;
花巻 吉彦
;
綿谷 力
;
八木 哲哉
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2004071808A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
作者:
八木 哲哉
;
宮下 宗治
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提交时间:2020/01/18
半導体装置の製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2003069155A, 申请日期: 2003-03-07, 公开日期: 2003-03-07
作者:
谷村 純二
;
田代 賀久
;
阿部 真司
;
笠井 信之
;
西口 晴美
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提交时间:2020/01/13
半导体激光器件
专利
OAI收割
专利号: CN1392641A, 申请日期: 2003-01-22, 公开日期: 2003-01-22
作者:
阿部真司
;
八木哲哉
;
宫下宗治
;
西口晴美
;
大仓裕二
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提交时间:2020/01/18
半导体激光装置及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1359179A, 申请日期: 2002-07-17, 公开日期: 2002-07-17
作者:
田代贺久
;
川津善平
;
西口晴美
;
八木哲哉
;
岛显洋
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提交时间:2020/01/13
半導體雷射裝置及其製造方法
专利
OAI收割
专利号: TW465154B, 申请日期: 2001-11-21, 公开日期: 2001-11-21
作者:
川津善平
;
宮下宗治
;
八木哲哉
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提交时间:2020/01/18
半導体レ-ザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2536044B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-18
作者:
八木 哲哉
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提交时间:2020/01/13