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• 西安光学精密机械研... [23]

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浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3759081B2, 申请日期: 2006-01-13, 公开日期: 2006-03-22 作者:  宮部 主之;  沢野 博之;  堀田 等   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子、及び、その製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001332811A, 申请日期: 2001-11-30, 公开日期: 2001-11-30 作者:  荒木田 孝博;  堀田 等   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000349388A, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2000-12-15 作者:  荒木田 孝博;  沢野 博之;  大沢 洋一;  堀田 等   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000340890A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08 作者:  荒木田 孝博;  宮坂 文人;  正野 篤士;  多田 健太郎;  大沢 洋一   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 自励発振型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2000315837A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14 作者:  沢野 博之;  堀田 等   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 自励発振型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3123433B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-09 作者:  宮坂 文人;  堀田 等;  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3075346B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14 作者:  沢野 博之;  堀田 等;  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レ—ザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999274657A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08 作者:  多田 健太郎;  堀田 等;  宮坂 文人   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体結晶成長方法および半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2967719B2, 申请日期: 1999-08-20, 公开日期: 1999-10-25 作者:  五明 明子;  堀田 等;  宮坂 文人   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 低しきい値半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1998335736A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18 作者:  小林 隆二;  堀田 等   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18