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• 西安光学精密机械研... [46]

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浏览/检索结果: 共46条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 窒化ガリウム系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3353527B2, 申请日期: 2002-09-27, 公开日期: 2002-12-03 作者:  石橋 明彦;  萬濃 正也;  大仲 清司;  武石 英見   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04 作者:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15 作者:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10 作者:  上山 智;  大仲 清司;  上野山 雄;  鈴木 政勝   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3206160B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-04 作者:  石橋 明彦;  木戸口 勲;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999220221A, 申请日期: 1999-08-10, 公开日期: 1999-08-10 作者:  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2956425B2, 申请日期: 1999-07-23, 公开日期: 1999-10-04 作者:  萬濃 正也;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2949927B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20 作者:  大仲 清司;  伴 雄三郎   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2900706B2, 申请日期: 1999-03-19, 公开日期: 1999-06-02 作者:  石橋 明彦;  保科 順一;  木戸口 勲;  大仲 清司   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998022563A, 申请日期: 1998-01-23, 公开日期: 1998-01-23 作者:  木戸口 勲;  大仲 清司;  高森 晃;  黒川 英雄;  白鳥 哲也   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13