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• 西安光学精密机械研... [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3314794B2, 申请日期: 2002-06-07, 公开日期: 2002-08-12 作者:  須郷 満;  天明 二郎;  森 英史;  リヒャルト ネェツェル   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2001024283A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26 作者:  野澤 博;  佐々木 徹;  天明 二郎;  玉村 敏昭   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000232254A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22 作者:  野澤 博;  佐々木 徹;  天明 二郎;  柴田 知尋;  須郷 満   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザおよび半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000228560A, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15 作者:  野澤 博;  佐々木 徹;  柴田 知尋;  天明 二郎   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザエピタキシャル結晶積層体および半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996195529A, 申请日期: 1996-07-30, 公开日期: 1996-07-30 作者:  天明 二郎;  須郷 満   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子の製法 专利  OAI收割 专利号: JP1996172238A, 申请日期: 1996-07-02, 公开日期: 1996-07-02 作者:  須郷 満;  天明 二郎;  西谷 昭彦;  倉持 栄一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置の製法 专利  OAI收割 专利号: JP1996064906A, 申请日期: 1996-03-08, 公开日期: 1996-03-08 作者:  須郷 満;  倉持 栄一;  天明 二郎;  西谷 昭彦   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996056047A, 申请日期: 1996-02-27, 公开日期: 1996-02-27 作者:  須郷 満;  天明 二郎;  西谷 昭彦;  倉持 栄一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994338656A, 申请日期: 1994-12-06, 公开日期: 1994-12-06 作者:  天明 二郎;  福田 光男   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1994338657A, 申请日期: 1994-12-06, 公开日期: 1994-12-06 作者:  天明 二郎;  岡安 雅信;  和田 正人   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18