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浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3969029B2, 申请日期: 2007-06-15, 公开日期: 2007-08-29 作者:  琵琶 剛志;  奥山 浩之;  土居 正人;  大畑 豊治   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/23 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25 作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3505780B2, 申请日期: 2003-12-26, 公开日期: 2004-03-15 作者:  石橋 晃;  中山 典一;  奥山 浩之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3398966B2, 申请日期: 2003-02-21, 公开日期: 2003-04-21 作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザー及び発光ダイオード 专利  OAI收割 专利号: JP3326833B2, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-09-24 作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3239550B2, 申请日期: 2001-10-12, 公开日期: 2001-12-17 作者:  奥山 浩之;  石橋 晃   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法および半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000164512A, 申请日期: 2000-06-16, 公开日期: 2000-06-16 作者:  奥山 浩之;  中村 文彦;  中島 博   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000031590A, 申请日期: 2000-01-28, 公开日期: 2000-01-28 作者:  奥山 浩之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子および半導体発光素子ならびに半導体受光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000022276A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21 作者:  冨谷 茂隆;  喜嶋 悟;  奥山 浩之;  谷口 理;  塚本 弘範   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2982340B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22 作者:  秋本 克洋;  奥山 浩之   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18