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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11 作者:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1254893C, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2006-05-03 作者:  古川佳彦;  岛田诚;  木内章喜;  落合真尚;  妹尾雅之   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26 作者:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26 作者:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28 作者:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3374737B2, 申请日期: 2002-11-29, 公开日期: 2003-02-10 作者:  長濱 慎一;  妹尾 雅之;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその形成方法。 专利  OAI收割 专利号: JP2002111128A, 申请日期: 2002-04-12, 公开日期: 2002-04-12 作者:  妹尾 雅之;  清久 裕之;  松下 俊雄   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3272588B2, 申请日期: 2002-01-25, 公开日期: 2002-04-08 作者:  妹尾 雅之;  長濱 慎一;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3087831B2, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-09-11 作者:  妹尾 雅之;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体の電極 专利  OAI收割 专利号: JP2950192B2, 申请日期: 1999-07-09, 公开日期: 1999-09-20 作者:  山田 孝夫;  妹尾 雅之   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24