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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN100449800C, 申请日期: 2009-01-07, 公开日期: 2009-01-07 作者:  橘浩一;  本乡智惠;  布上真也;  小野村正明   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN100380696C, 申请日期: 2008-04-09, 公开日期: 2008-04-09 作者:  田中明;  小野村正明   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3946337B2, 申请日期: 2007-04-20, 公开日期: 2007-07-18 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  布上 真也;  石川 正行   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1949606A, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2007-04-18 作者:  松山隆之;  小野村正明   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子及び半導体素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3905935B2, 申请日期: 2007-01-19, 公开日期: 2007-04-18 作者:  板谷 和彦;  山本 雅裕;  小野村 正明;  藤本 英俊;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物系半導体レーザ装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3659621B2, 申请日期: 2005-03-25, 公开日期: 2005-06-15 作者:  小野村 正明   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3655066B2, 申请日期: 2005-03-11, 公开日期: 2005-06-02 作者:  小野村 正明;  波多腰 玄一;  板谷 和彦;  吉田 博昭;  鈴木 真理子   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3464853B2, 申请日期: 2003-08-22, 公开日期: 2003-11-10 作者:  小野村 正明;  西川 幸江;  波多腰 玄一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3381976B2, 申请日期: 2002-12-20, 公开日期: 2003-03-04 作者:  櫛部 光弘;  高岡 圭児;  船水 将久;  小野村 正明   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3251615B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28 作者:  平山 雄三;  小野村 正明;  森永 素安;  鈴木 信夫;  定政 哲雄   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13