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• 西安光学精密机械研... [10]

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• 2002 [1]
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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3285079B2, 申请日期: 2002-03-08, 公开日期: 2002-05-27 作者:  屋敷 健一郎;  山崎 裕幸;  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3241326B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25 作者:  屋敷 健一郎;  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 II-VI族化合物半導体ヘテロ接合素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999112031A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23 作者:  岩田 普;  難波江 宏一   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体量子井戸レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2890505B2, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-05-17 作者:  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999008440A, 申请日期: 1999-01-12, 公开日期: 1999-01-12 作者:  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 II-VI族半導体デバイス及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2757915B2, 申请日期: 1998-03-13, 公开日期: 1998-05-25 作者:  倉本 大;  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997092926A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04 作者:  北村 光弘;  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2586349B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26 作者:  黒田 尚孝;  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/13 面形光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996008393B2, 申请日期: 1996-01-29, 公开日期: 1996-01-29 作者:  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ埋め込み構造 专利  OAI收割 专利号: JP1995202312A, 申请日期: 1995-08-04, 公开日期: 1995-08-04 作者:  岩田 普   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31