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• 西安光学精密机械研... [12]

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浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3702700B2, 申请日期: 2005-07-29, 公开日期: 2005-10-05 作者:  柴田 直樹;  伊藤 潤;  千代 敏明;  野杁 静代;  渡邉 大志   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3603713B2, 申请日期: 2004-10-08, 公开日期: 2004-12-22 作者:  千田 昌伸;  千代 敏明;  浅見 慎也;  伊藤 潤;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 GaN系の半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3517867B2, 申请日期: 2004-02-06, 公开日期: 2004-04-12 作者:  千代 敏明;  野杁 静代;  柴田 直樹;  伊藤 潤   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3344257B2, 申请日期: 2002-08-30, 公开日期: 2002-11-11 作者:  上村 俊也;  柴田 直樹;  伊藤 潤   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利  OAI收割 专利号: JP2001015801A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19 作者:  柴田 真佐知;  今野 泰一郎;  金田 直樹;  柴田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ 专利  OAI收割 专利号: JP2001007445A, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-01-12 作者:  柴田 真佐知;  今野 泰一郎;  金田 直樹;  柴田 憲治   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000307148A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02 作者:  柴田 憲治;  柴田 真佐知;  金田 直樹;  今野 泰一郎;  塚本 孝信   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 GaN系の半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000261033A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者:  伊藤 潤;  柴田 直樹;  千代 敏明;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999177140A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02 作者:  千代 敏明;  柴田 直樹;  伊藤 潤;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 GaN系半導体 专利  OAI收割 专利号: JP1999163404A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  柴田 直樹   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31